Etude et conception d'un étage de mise en forme d'impulsions ultra ...

Module E
Composante E-tangentielle
15,0 20,0 25,0 30,0
sse curviligne (mm)
C
15,0 20,0 25,0 30,0
scisse curviligne (mm)
B
Module E
Composante E-tangentielle
D
Champ pour 1V (V/m)
80,0
60,0
40,0
20,0
0,0
-5,0 0,0 5,0 10,0 15,0 20,0 25,0 30,0 35,0 40,0 45,0 50,0 55,0
Champ pour 1V (V/m)
A
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
B
B1
C
D
A1 Ports d’excitation
Module E
Composante E-tangentielle
E
F
Module E
Composante E-tangentielle
C1
D1 E1 F1
G1
0 10 20 30 40 50 60
G
Abscisse curviligne (mm)
H
Abscisse curviligne (mm)
I
J
H1
116
Figure 7.28 – Comparaison entre le module du champ électrique sa composante tangentielle
le long de la l’interface 6.
7.6 Simulations
Une fois les dimensionnements terminés, une phase de simulation sous CST Micro-
wave Studio permet de réaliser une dernière vérification avant de lancer la fabrication du
prototype.
La figure 7.29 montre une vue 3D du modèle de mise en forme bipolaire.
Port de sortie
Figure 7.29 – Modele 3D CST Microwave Studio de la ligne de mise en forme bipolaire.