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Etude et conception d'un étage de mise en forme d'impulsions ultra ...

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– Circuits logiques (TTL <strong>et</strong> CMOS) : NAND, inverseurs, registres à décalage.<br />

– Microcontrôleurs : Architecture RISC, technologie CMOS rapi<strong>de</strong>, 32 x 8 registres.<br />

– Cartes mères : SSC 5 x 86 AMD 1300 MHz <strong>et</strong> Rocky-518 HV P<strong>en</strong>tium/MMX<br />

233 MHz.<br />

– PC : 386-25, 486-33 <strong>et</strong> 486-66.<br />

– Réseau local <strong>en</strong> différ<strong>en</strong>ts câbles standard (RG223, RG58, S-UTP..) <strong>et</strong> pour diffé-<br />

r<strong>en</strong>ts débits (10-100 MBps).<br />

Les résultats montr<strong>en</strong>t qu’un réseau local <strong>en</strong>tre PC <strong>de</strong>vi<strong>en</strong>t vulnérable <strong>en</strong>tre 200 V/m<br />

<strong>et</strong> 5 kV/m <strong>en</strong> ULB. Les pannes sévères nécessitant l’interv<strong>en</strong>tion d’un opérateur appa-<br />

raiss<strong>en</strong>t <strong>en</strong>tre 6 kV/m <strong>et</strong> 12 kV/m. En ce qui concerne les circuits à microcontrôleurs,<br />

le seuil au <strong>de</strong>là duquel <strong>de</strong>s eff<strong>et</strong>s apparaiss<strong>en</strong>t est <strong>de</strong> 7.5 kV/m <strong>en</strong> ULB. Il est n<strong>et</strong>tem<strong>en</strong>t<br />

plus élevé (42 kV/m) pour l’IEMN. C<strong>et</strong> écart est égalem<strong>en</strong>t prés<strong>en</strong>t dans la susceptibilité<br />

<strong>de</strong>s cartes mères. En eff<strong>et</strong>, les auteurs donn<strong>en</strong>t un seuil <strong>de</strong> 4 kV/m <strong>en</strong> ULB <strong>et</strong> <strong>de</strong> 25 kV/m<br />

pour l’IEMN. Enfin, Le champ nécessaire à une perturbation <strong>de</strong>s circuits logiques testés<br />

est <strong>de</strong> 25 kV/m <strong>en</strong> ULB (75 kV/m pour circuit TTL) <strong>et</strong> 120 kV/m pour l’IEMN.<br />

Le blindage <strong>de</strong>s systèmes électroniques comporte <strong>de</strong>s faiblesses autour <strong>de</strong> certaines<br />

fréqu<strong>en</strong>ces. En couvrant un large spectre, les impulsions ULB peuv<strong>en</strong>t profiter <strong>de</strong> plu-<br />

sieurs ’f<strong>en</strong>êtres’ dans la protection électromagnétique afin d’interagir avec les circuits<br />

dans le but <strong>de</strong> les perturber. C’est un avantage par rapport à un rayonnem<strong>en</strong>t micro-on<strong>de</strong><br />

BE. En eff<strong>et</strong>, si la fréqu<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> l’on<strong>de</strong> inci<strong>de</strong>nte ne correspond pas à une vulnérabi-<br />

lité du blindage, aucune énergie ne pénétrera celui-ci <strong>et</strong> l’agression restera sans eff<strong>et</strong>.<br />

En contrepartie <strong>de</strong> c<strong>et</strong> avantage, l’ULB souffre <strong>de</strong> diluer l’énergie sur une gran<strong>de</strong> plage<br />

<strong>de</strong> fréqu<strong>en</strong>ce. Seule une faible partie <strong>de</strong> celle-ci pourra être couplée dans la cible. Par<br />

conséqu<strong>en</strong>t, les pannes induites par une agression ULB sont ess<strong>en</strong>tiellem<strong>en</strong>t liées à <strong>de</strong>s<br />

eff<strong>et</strong>s spécifiques plutôt qu’à <strong>de</strong>s eff<strong>et</strong>s thermiques. En ce s<strong>en</strong>s l’augm<strong>en</strong>tation du taux<br />

<strong>de</strong> répétition <strong>en</strong> ULB correspond à une augm<strong>en</strong>tation <strong>de</strong> la probabilité <strong>de</strong> provoquer une<br />

panne fonctionnelle dans la cible. Dans le cas <strong>de</strong> la BE le taux <strong>de</strong> récurr<strong>en</strong>ce augm<strong>en</strong>te<br />

la quantité d’énergie couplée dans les circuits favorisant une <strong>de</strong>struction physique <strong>de</strong>s<br />

composants.<br />

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