Etude et conception d'un étage de mise en forme d'impulsions ultra ...

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156 High-power ultrawideband electromagnetic pulse source. In 14th IEEE Interna- tional Pulsed Power Conference, Dallas, Texas, USA, 2003. [31] YV. I. Koshelev, V.P. Gubanov, A.M. Efremov, S.D.Korovin, B.M.Kovalchuk, V.V.Plisko, A.S.Stepchenko, and K.N.Suklushin. High-power ultrawideband radiation source with multielement array antenna. In 13th International Symposium on High Current Electronics, 2004. [32] A.M. Efremov, V.I. Koshelev, B.M. Kovalchuk, V.V. Plisko, and K.N. Sukhushin. High-power sources of ultrawideband radiation with subnanosecond pulse length. In 14th International conference on current electronic, 2006. [33] Y. Yankelevich, A. Pokryvailo, and M. Shapira. A compact source of sub-gw, subnanosecond pulses. In 14th IEEE International Pulsed Power Conference, Dallas, Texas, USA, 2003. [34] C.E. Baum, W.L. Baker, W.D. Prather, J.M. Lehr, J.P. O’Loughlin, D.V. Giri, I.D. Smith, R. Altes, J. Fockler, D.Mc. Lemore, M.D. Abdalla, and M.C. Skipper. Jolt : A highly directive, very intensive, impulse-like radiator. Proceedings of the IEEE, 92 :1096–1109, 2004. [35] A.J. Pesta and G.T. Capraro. A methodology for the evaluation on hpm effects on electronic systems. pages 349–352, 1990. [36] A. Bausen, U.Schenk, J. Maack, and D. Nitsch. UWB, LPM, HPM, and EMP susceptibilitty of complex PCsystems, chapter 52, pages 479–486. Springer, 2007. [37] D.Nitsch, M. Camp, F. Sabath, J. Luiken ter Haseborg, and H. Garbe. Susceptibility of some electronic equipment to hpem threats. IEEE transactions on electromagnetic compatibility, 46 :380–389, 2004. [38] E. Marx. Verfahren zur Schlagprüfung von Isolatoren und anderen elektrischen Vorrichtungen. 1923.
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UNIVERSITE DE LIMOGES ECOLE DOCTORA
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Remerciements Mes premiers remercie
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Franco-allemand de Recherches de Sa
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Première partie Contexte de l’é
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s pour assurer la 0 jours par an é
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Les formes précises des IEMN reste
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Un intense champ magnétique est é
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Defence R&D Canada, exploite près
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Dénomination Amplitude max. fréqu
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C Rc A B F Cg Il est primordial de
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Référence Nombre d’étage Cetag
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51 2eEλ u = . (4.4) m Si u est tr
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convergeant (pointe portée à la h
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cristalline...). La fonction Θ(y)
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R(t) = 61 d πσb 2 t 0 2I(τ) 2/3
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d, ra et rc sont respectivement la
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par U.V. est couplée à un signal
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La forte électronégativité du SF
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onde gelées. Le système comporte
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Ainsi le potentiel au point C (et B
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t = T 0 − t = T 0 + Détaillons l
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ainsi l’égalité suivante t = T0
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les équations 5.17 et 5.19 nous ob
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6.1 Positionement du problème CHAP
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La fréquence de coupure basse d’
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Troisième partie Conception, carac
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Dans le cas d’un signal bipolaire
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Conducteur externe (T1, T3) T1 (25O
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dT2(POM)=18.8 mm T2 T2 T1 T3 dT2= 2
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1 ,0 0 ,8 0 ,6 0 ,4 0 ,2 0 ,0 -0 ,2
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D’ou tco Lpom tpom tpp tinterface
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