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Etude et conception d'un étage de mise en forme d'impulsions ultra ...

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C<br />

Rc<br />

A B F<br />

Cg<br />

Il est primordial <strong>de</strong> maint<strong>en</strong>ir un rapport Cm Cg/Cs le plus faible possible pour conserver Cs<br />

V0<br />

Rc<br />

S1 S2 S3<br />

D<br />

Cs<br />

Cg Cg<br />

Figure 3.5 – Générateur <strong>de</strong> Marx avec les capacités parasites <strong>en</strong>tre <strong>étage</strong>s <strong>et</strong> vers la<br />

masse.<br />

à la masse. Cep<strong>en</strong>dant, comme C est généralem<strong>en</strong>t très supérieure à Cs, c<strong>et</strong>te <strong>de</strong>rnière se<br />

charge rapi<strong>de</strong>m<strong>en</strong>t à une t<strong>en</strong>sion proche <strong>de</strong> V0. Le point B passe alors rapi<strong>de</strong>m<strong>en</strong>t <strong>de</strong> V0<br />

à 2V0. La capacité Cg <strong>de</strong> l’éclateur S2 <strong>et</strong> Cs au point H form<strong>en</strong>t un diviseur capacitif <strong>de</strong><br />

t<strong>en</strong>sion. La différ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> ∆V aux bornes <strong>de</strong> S2 <strong>et</strong> alors donnée par<br />

H<br />

Cs<br />

Rm<br />

Cs<br />

Lm<br />

45<br />

2V0<br />

∆V = . (3.14)<br />

1 +Cg/Cs<br />

une surt<strong>en</strong>sion suffisante sur S2 pour lui perm<strong>et</strong>tre <strong>de</strong> claquer. La capacité parasite dis-<br />

tribuée <strong>en</strong>tre les con<strong>de</strong>nsateurs <strong>et</strong> l’<strong>en</strong>veloppe métallique du générateur peut participer<br />

à l’augm<strong>en</strong>tation <strong>de</strong> Cs. Cep<strong>en</strong>dant, même <strong>en</strong> diminuant le rapport <strong>de</strong>s capacités, la sur-<br />

t<strong>en</strong>sion ne peut se maint<strong>en</strong>ir. En eff<strong>et</strong>, à mesure que le noeud D se charge à V0, le noeud<br />

F se charge égalem<strong>en</strong>t via la résistance placée <strong>en</strong>tre les <strong>de</strong>ux points. Parallèlem<strong>en</strong>t à ce<br />

processus, le noeud F se charge aussi à travers la résistance qui le relie au point B. En<br />

supposant que Cs est négligeable <strong>de</strong>vant C, alors le pot<strong>en</strong>tiel <strong>en</strong> F va t<strong>en</strong>dre vers V0 avec<br />

une constante <strong>de</strong> temps <strong>de</strong> 0.5RcCs. La t<strong>en</strong>sion au borne <strong>de</strong> S2 peut diminuer rapi<strong>de</strong>m<strong>en</strong>t<br />

pour atteindre VO ce qui empêcherait le claquage <strong>de</strong> l’éclateur qui doit être prévu pour<br />

t<strong>en</strong>ir à c<strong>et</strong>te t<strong>en</strong>sion. La condition pour que le processus <strong>de</strong> multiplication se poursuive<br />

est que S2 soit conçu pour claquer à une t<strong>en</strong>sion inferieure à ∆V dans un délai <strong>de</strong> 0.5RcCs.

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