12.07.2015 Views

Вестник НТУ ХПИ_55 2010_Оригинал_макет - Науково-технічна ...

Вестник НТУ ХПИ_55 2010_Оригинал_макет - Науково-технічна ...

Вестник НТУ ХПИ_55 2010_Оригинал_макет - Науково-технічна ...

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

2Vϕαeα1 ⎛ ∂Pα⎞− = E + VϕαωΕα− ⎜ ⎟ , (1)r mαωαuα⎝ ∂r⎠где V ϕα − скорость частиц сорта α = e, i; P α = n α ⋅T α .Таким образом, скорость вращения Vφ (е) =-cE/H (без учета центробежнойсилы), и c учетом центробежной силыi rω⎛⎞V =ci2e ⎜1+4eiEr/ ωiωcir ⎟ . (2)2 ⎝⎠Стационарное движение ионов возможно и при более высокихзначениях электрического поля.Если характерная частота вращения частиц плазмы ω вр ∼ cE/rHблизка к циклотронной частоте ионов ω сi , происходит резонансноевозбуждение ионной циклотронной неустойчивости. Величины внешнихполей, соответствующих резонансу, связаны соотношением:⎛22 ⎞⎜ ⋅ Er⋅ mi⋅cH⎟кр ≈. (3)⎜⎟⎝ei⋅ r⎠В условиях развитой неустойчивости, при выполнении условия2ω вр ≈ ω сi , регистрировались ионы, уходящие из плазмы вдоль магнитногополя с энергией W=100÷200 эВ, для широкого спектра масс ионов,от лития до кремния.Приведенная формулировка авторов относительно регистрацииионов, уходящих вдоль магнитного поля, не точна. В действительностив колоколообразном поле ионы, ускоренные в области максимальногои однородного магнитного поля (в котором они могли получитьпоперечную компоненту энергии), уходят в область падающего магнитногополя. При этом ионы перекачивают поперечную компонентуэнергии ε ⊥ в продольную ε || .Целесообразно упомянуть экспериментальные работы [4, 5] итеоретическую [6], относящиеся не к сепараторам, а к исследованиям,обеспечившим их физические принципы работы, хотя в них тогда иречи об этом не было. В первых двух работах исследовался нагрев ионовводорода во вращающейся в скрещенных электрическом и магнитномполях плазме. Этот нагрев происходил при определенных величинахи соотношениях величин В и Е. При этом спонтанно возникалоизлучение на частотах, близких к ионно-циклотронным ω сi , и МихайловскийА.Б. классифицировал этот процесс, как развитие ионноциклотроннойИЦР-неустойчивости и привел величины инкрементовISSN 2079-3944. Вісник НТУ "ХПІ". <strong>2010</strong>. № <strong>55</strong>13412

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!