Der UMC 0.18 Design Flow am Beispiel eines PDA ... - Mpc.belwue.de
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Neues von <strong>de</strong>r DATE 2009<br />
Durch die obengenanten Maßnahmen können die<br />
Chipstrukturen auch in <strong>de</strong>n nächsten Jahren weiter<br />
verkleinert wer<strong>de</strong>n, bei beherrschbaren Leckströmen.<br />
Ein <strong>Beispiel</strong> zeigt das nächste Bild. Darin ist <strong>de</strong>r<br />
statische Energieverbrauch von FPGA’s <strong>de</strong>r Fa.<br />
XILINX bei verschie<strong>de</strong>nen Strukturgrößen und<br />
Betriebsspannungen aufgetragen. Es zeigt sich, dass<br />
die 45nm-Technologie sogar einen geringeren<br />
statischen Energieverbrauch (durch Leckströme) als<br />
vorangegangene Technologien hat. Dazu trägt auch<br />
die Reduktion <strong>de</strong>r Betriebsspannung von 1,2V auf 1V<br />
o<strong>de</strong>r 0,9V bei.<br />
Bild 5: Temperaturabhängigkeit <strong>de</strong>r Ströme I GATE und I S-D [2]<br />
Die Leckströme engen die erlaubte Streuung <strong>de</strong>r<br />
Fertigungspar<strong>am</strong>eter ein und sind <strong>de</strong>shalb auch eine<br />
große Gefahr für die Ausbeute (Yield).<br />
Um die Leckstromproblematik in <strong>de</strong>n Griff zu<br />
bekommen wer<strong>de</strong>n heute 2 Vorkehrungen getroffen:<br />
- Gate-Oxid mit hoher Dielektrizitätskonstante<br />
- Verwendung von bis 3 verschie<strong>de</strong>ne Oxid-<br />
Dicken und VT’s auf <strong>de</strong>m Chip<br />
Ab Strukturgrößen von 55nm wer<strong>de</strong>n in das Gate-<br />
Dielektrikum sogenannte High K-Schichten<br />
eingebracht. Dadurch kann die Gate-Oxid-Dicke<br />
wie<strong>de</strong>r vergrößert wer<strong>de</strong>n und <strong>de</strong>r Gate-Leckstrom<br />
sinkt.<br />
Bild 7: Statischer Energieverbrauch von Spartan- und Virtex-<br />
FPGA bei Skalierung [2]<br />
Von einzelnen Referenten wur<strong>de</strong> hervorgehoben,<br />
dass wegen <strong>de</strong>r angesprochenen technologischen<br />
Probleme, in Zukunft die Verzögerungszeiten von<br />
CMOS-Chips nicht mehr so stark wie in <strong>de</strong>r<br />
Vergangenheit reduziert wer<strong>de</strong>n können [3].<br />
2. PPGA: Power Optimized <strong>Design</strong><br />
Bild 6: Transistor mit High-K-Gate-Dielektrikum [5]<br />
Im Rahmen <strong>de</strong>s Tutoriums: “Power Optimized <strong>Design</strong><br />
for Mo<strong>de</strong>rn FPGAs” referierte J. Nogera von <strong>de</strong>r<br />
Firma Xilinx über stromsparen<strong>de</strong> <strong>Design</strong>s.<br />
Neben <strong>de</strong>r bereits im vorigen Abschnitt angesprochen<br />
Verlustleistung durch Leckströme spielt bei FPGAs<br />
die dyn<strong>am</strong>ische Verlustleistung eine große Rolle. Die<br />
dyn. Verlustleistung ist P ≈ CV²f , d.h. sie ist<br />
proportional zu <strong>de</strong>n internen Schaltkapazitäten C.<br />
Die dyn<strong>am</strong>ische Verlustleistung wird bei FPGAs vor<br />
allem durch die Kapazitäten von Clock Tree, von <strong>de</strong>n<br />
Verdrahtungsleitungen und <strong>de</strong>r Switch Matrix<br />
bestimmt. Das nächste Bild zeigt die Aufteilung <strong>de</strong>s<br />
dyn. Leistungsverbrauchs für ein typisches <strong>Design</strong>.<br />
MPC-Workshop, Juli 2009<br />
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