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sunsicherheit. Eine ausführliche Diskussion der Ergebnisse beider Bestimmungsmethoden wird<br />
unter Berücksichtigung aller Messergebnisse in Abschnitt 5.5.6 durchgeführt.<br />
5.5.3 CIGS/CBD-ZnO 0.4 S 0.6<br />
Alternativ zum CBD-CdS Puffersystem kann ein ZnO 1−x S x Puffer mittels der chemischen Badabscheidung<br />
hergestellt werden. Die Detailspektren der Emissionslinien des Grenzflächenexperiments<br />
der Grenzfläche CIGS/CBD-ZnO 0.4 S 0.6 sind in Abbildung 5.19 gezeigt. Selbst nach einer<br />
Depositionszeit von 15 min sind in den Detailspektren des CIGS-Absorbers deutlich Intensitäten<br />
detektierbar. Auch das Valenzband zeigt bei niedrigen Bindungsenergien noch Komponenten<br />
des CIGS Absorbers. Diese beiden Beobachtungen lassen auf eine Schichtdicke kleiner 10 nm<br />
schließen, bzw. deuten auf eine unvollständige Bedeckung hin. Die unvollständige Bedeckung<br />
wird bei der Betrachtung des REM-Bildes in Abbildung 5.20 bestätigt.<br />
Ga2p 3/2<br />
Zn2p 3/2<br />
Cu2p 3/2<br />
O1s In3d 5/2<br />
S2p/Se3p Se3d VBM<br />
15Cmin<br />
7Cmin<br />
IntensitätC[a.Cu.]<br />
5Cmin<br />
2Cmin<br />
0.1Cmin<br />
0Cmin<br />
1121 1115 1026 1018 934 932 930 536 532 528 446 444 442 168 164 160 58 54 4 2 0<br />
BindungsenergieC[eV]<br />
Abbildung 5.19: Emissionslinien für das Grenzflächenexperiment der CIGS/CBD-<br />
ZnO 0.4 S 0.6 Grenzfläche.<br />
Die Emissionslinien des CIGS Absorbers weisen keine Anzeichen von Oxidation in Form von<br />
Schultern bei höheren Bindungsenergien auf und deren Bindungsenergien bleiben über das<br />
88 5 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie
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