Download (8Mb) - tuprints
Download (8Mb) - tuprints
Download (8Mb) - tuprints
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
N A<br />
[cm -3 ]<br />
10 18 2<br />
6<br />
5<br />
4<br />
3<br />
10 17 2<br />
6<br />
CdS 60°C<br />
0V<br />
-0.5V<br />
-1.0V<br />
-1.5V<br />
-2.0V<br />
N A<br />
[cm -3 ]<br />
4<br />
10 19 2<br />
6<br />
4<br />
10 18 2<br />
6<br />
4<br />
10 17 2<br />
6<br />
ZnOS 60°C<br />
0V<br />
-0.5V<br />
-1.0V<br />
-1.5V<br />
-2.0V<br />
100<br />
200<br />
300<br />
x [nm]<br />
400<br />
500<br />
100<br />
200<br />
300<br />
x [nm]<br />
400<br />
Abbildung 6.22: Ladungsträgerkonzentrationsprofil über dem Abstand x zur Grenzfläche<br />
CIGS/Puffer für die CdS-Zelle (links) und die ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle (rechts) für 60°C<br />
mit verschiedenen Vorspannungen und einer Messfrequenz von 50 kHz.<br />
Fall. Für die Zelle mit ZnO 0.4 S 0.6 Puffer verringert sich die Weite der Raumladungszone mit zunehmender<br />
Vorspannung obwohl die Kapazität sinkt. Die Dotierung an der Grenzfläche erhöht<br />
sich für beide Zellen mit steigender negativer Vorspannung, was einer höheren Bandverbiegung<br />
uns somit einer geringeren Ausdehnung der Raumladungszone entspricht.<br />
Analoge Beobachtungen wurden auch für geringere Temperaturen gemacht, diese sind dort aber<br />
nicht so ausgeprägt. Es wird auf eine Darstellung der restlichen Messungen bei 30°C und 40°C<br />
verzichtet. Die für die weitere Auswertung benötigten Daten sind dem Anhang zu entnehmen<br />
(siehe Tabelle A.3 und Tabelle A.4).<br />
Die Ladungsträgerkonzentration an der Grenzfläche CIGS/Puffer ist für die ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle größer<br />
als für die CdS-Zelle. Die größere Ladungsträgerdichte in der ZnOS-Zelle führt zu einer größeren<br />
Bandverbiegung im CIGS und somit zu einer niedrigeren Position des Fermi-Niveaus, was<br />
in dem XPS-Kapitel gezeigt wurde. Der Wert für die Bandverbiegung im Sputtertiefenprofil liegt<br />
für das CIGS in der CdS-Zelle bei 0.05 eV und in der ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle bei 0.2 eV.<br />
Die Auswertung der Diffusionsspannungen bestätigen ebenfalls diesen Trend. Die quantitativen<br />
Werte der Diffusionsspannungen sind aber nicht sehr belastbar, da die Bestimmung der<br />
Diffusionsspannung, wie weiter oben erklärt, mit einigen Unsicherheiten versehen ist.<br />
6.4 C-V-t Messungen<br />
Die weiterführende Messprozedur mit den angelegten Spannungsstufen ist im unteren Bereich<br />
der Abbildung 6.23 für die Solarzelle mit CdS und ZnO 0.4 S 0.6 Puffer dargestellt. An die Proben<br />
6.4 C-V-t Messungen 135