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N A<br />

[cm -3 ]<br />

10 18 2<br />

6<br />

5<br />

4<br />

3<br />

10 17 2<br />

6<br />

CdS 60°C<br />

0V<br />

-0.5V<br />

-1.0V<br />

-1.5V<br />

-2.0V<br />

N A<br />

[cm -3 ]<br />

4<br />

10 19 2<br />

6<br />

4<br />

10 18 2<br />

6<br />

4<br />

10 17 2<br />

6<br />

ZnOS 60°C<br />

0V<br />

-0.5V<br />

-1.0V<br />

-1.5V<br />

-2.0V<br />

100<br />

200<br />

300<br />

x [nm]<br />

400<br />

500<br />

100<br />

200<br />

300<br />

x [nm]<br />

400<br />

Abbildung 6.22: Ladungsträgerkonzentrationsprofil über dem Abstand x zur Grenzfläche<br />

CIGS/Puffer für die CdS-Zelle (links) und die ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle (rechts) für 60°C<br />

mit verschiedenen Vorspannungen und einer Messfrequenz von 50 kHz.<br />

Fall. Für die Zelle mit ZnO 0.4 S 0.6 Puffer verringert sich die Weite der Raumladungszone mit zunehmender<br />

Vorspannung obwohl die Kapazität sinkt. Die Dotierung an der Grenzfläche erhöht<br />

sich für beide Zellen mit steigender negativer Vorspannung, was einer höheren Bandverbiegung<br />

uns somit einer geringeren Ausdehnung der Raumladungszone entspricht.<br />

Analoge Beobachtungen wurden auch für geringere Temperaturen gemacht, diese sind dort aber<br />

nicht so ausgeprägt. Es wird auf eine Darstellung der restlichen Messungen bei 30°C und 40°C<br />

verzichtet. Die für die weitere Auswertung benötigten Daten sind dem Anhang zu entnehmen<br />

(siehe Tabelle A.3 und Tabelle A.4).<br />

Die Ladungsträgerkonzentration an der Grenzfläche CIGS/Puffer ist für die ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle größer<br />

als für die CdS-Zelle. Die größere Ladungsträgerdichte in der ZnOS-Zelle führt zu einer größeren<br />

Bandverbiegung im CIGS und somit zu einer niedrigeren Position des Fermi-Niveaus, was<br />

in dem XPS-Kapitel gezeigt wurde. Der Wert für die Bandverbiegung im Sputtertiefenprofil liegt<br />

für das CIGS in der CdS-Zelle bei 0.05 eV und in der ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle bei 0.2 eV.<br />

Die Auswertung der Diffusionsspannungen bestätigen ebenfalls diesen Trend. Die quantitativen<br />

Werte der Diffusionsspannungen sind aber nicht sehr belastbar, da die Bestimmung der<br />

Diffusionsspannung, wie weiter oben erklärt, mit einigen Unsicherheiten versehen ist.<br />

6.4 C-V-t Messungen<br />

Die weiterführende Messprozedur mit den angelegten Spannungsstufen ist im unteren Bereich<br />

der Abbildung 6.23 für die Solarzelle mit CdS und ZnO 0.4 S 0.6 Puffer dargestellt. An die Proben<br />

6.4 C-V-t Messungen 135

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