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A.3 Detailspektren RF-ZnO 0.8 S 0.2
167 163
Ga2p 3/2
Zn2p 1/2
Cu2p 3/2
O1s In3d 5/2
S2pZ/ZSe3p Se3d VBM
IntensitätZ[a.Zu.]
3100s
2976s
2852s
2728s
2604s
2480s
2170s
1550s
610s
310s
248s
186s
124s
62s
0s
1121 1115
1049 1041 934 932 930 536 532 528 447 444 441 58 54 4 2 0
BindungsenergieZ[eV]
Abbildung A.5: Emissionslinien der Grenzfläche CIGS/RF-ZnO 0.8 S 0.2 beim Sputtertiefenprofil
der Probe 9185638. Die Intensität der Komponente im O1s Detailspektrum bei höheren
Bindungsenergien verringert sich nach dem ersten Sputterschritt deutlich und nimmt dann
kontinuierlich ab, verschwindet aber auch nach 3100 s Sputterzeit nicht ganz. Die Pufferschicht
ist somit noch nicht vollständig entfernt worden. Andere Messungen haben gezeigt,
dass es sich bei der hochenergetischen Komponente um Sulfat handelt. Die Oxid-Komponente
ist nach dem ersten Sputterschritt gut zu erkennen. Nach einer Sputterzeit von 2107 s sind
die Emissionslinien des CIGS zu erkennen. Das Valenzbandmaximum für RF-ZnO 0.8 S 0.2 liegt
bei 2.4 eV und verringert sich auf 0.2 eV für CIGS. Die Bindungsenergiewerte des Puffermaterials
ändern sich nach dem ersten Sputterschritt und bleiben dann konstant. Die Bindungsenergiewerte
des CIGS ändern sich nicht. Bei der Emissionslinie von Ga2p 3/2 und In3d 5/2 sind
mit zunehmender Sputterzeit metallische Komponenten bei niedrigeren Bindungsenergien als
Schultern an der Hauptemission zu erkennen.
A.3 Detailspektren RF-ZnO 0.8 S 0.2 175