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A.5 Bandanpassungen RF-ZnO 0.5 S 0.5<br />
2.0<br />
E F<br />
-CE VBM<br />
[eV]<br />
2.0<br />
1.5<br />
1.0<br />
0.5<br />
1.68<br />
Cu2p 3/2<br />
In3d 5/2<br />
Ga2p 3/2<br />
Se3d<br />
Zn2p 3/2<br />
O1s<br />
S2p<br />
E F<br />
-CE VBM<br />
[eV]<br />
1.5<br />
1.0<br />
0.5<br />
0.0<br />
1.31<br />
0<br />
5<br />
10<br />
15<br />
20<br />
SchichtdickeC[nm]<br />
25<br />
0<br />
500<br />
10001500 2000 2500<br />
SputterzeitC[s]<br />
Abbildung A.8: Bandanpassung für RF-ZnO 0.5 S 0.5 bestimmt mittels eines Grenzflächenexperimentes<br />
(links) und eines Sputtertiefenprofils (rechts). Der Endpunkt des<br />
Grenzflächenexperiments und der Anfang des Sputtertiefenprofils entsprechen sich.<br />
Der resultierende Valenzbandversatz für das Grenzflächenexperiment wurde bei einer<br />
Schichtdicke von 5 nm auf 1.68 eV bestimmt. Der Valenzbandversatz für das Sputtertiefenprofil<br />
wurde als Abstand des Valenzbandmaximums vom Puffer und vom CIGS auf<br />
1.31 eV bestimmt. Hierbei wurden die Bereiche ausgewählt in denen das Valenzbandmaximum<br />
über eine lange Sputterzeit konstant geblieben ist.<br />
178 A Spektren und Daten
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