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die Galliumkonzentration wieder leicht auf 12 % an. Die Indiumkonzentration verhält sich invers
zur Galliumkonzentration.
Tabelle 5.10: Die Kenndaten Valenzbandmaximum (VBM), CGI und GGI der CIGS-
Schicht, die aus dem Sputtertiefenprofil dieser bei bestimmten Sputtertiefen d ermittelt
wurden.
d [µm] VBM [eV] CGI [%] GGI [%]
0 0.42 34 25
0.3 0.24 93 39
0.9 0.24 93 35
1.2 0.32 90 36
1.9 0.40 94 39
Die Zusammensetzung der CIGS Probe an der Oberfläche entspricht dem in Tabelle 5.9 gezeigten
Wert. Ab einer Tiefe von 10 nm im CIGS-Absorber wird keine Sauerstoffemission mehr
detektiert. Somit ist davon auszugehen, dass alle Adsorbate und Oxide von der Oberfläche entfernt
wurden. Innerhalb dieser ersten zwei Sputterschritte ändert sich die Zusammensetzung
des CIGS von der kupferarmen Oberflächenkonzentration Cu(In,Ga) 3 Se 5 zu einer kupferreichen
Volumenkonzentration. Dies soll durch die Betrachtung des Verhältnisses von Kupfer zu
(Gallium + Indium), dem sogenannten CGI, in Tabelle 5.10 in Verbindung mit Abbildung 5.9
verdeutlicht werden.
39 h
Intensität [a. u.]
25 h
18 h
6 h
0 h
5
4
3
Bindungsenergie [eV]
2
1
0
Abbildung 5.9: Detailspektren des Valenzbandes für das in
Abbildung 5.8 gezeigte Konzentrationsprofil des CIGS. Die
Spektren wurden an dem Zeitpunkt, der mit den senkrechten
Linien in Abbildung 5.8 gekennzeichnet ist, aufgenommen.
Die entsprechenden Sputterzeiten sind in Stunden angegeben.
Das Minimum bei 3 eV ist bei der kupferarmen
158-Phase an der Oberfläche ausgeprägter als bei der 112-
Phase im Volumen des CIGS.
In Tabelle 5.10 sind das Valenzbandmaximum, der GGI sowie der CGI bei verschiedenen Sput-
5.4 Quantitative Analyse der Zusammensetzung 75