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zum Indium- und Galliumgehalt. Die in dieser Arbeit untersuchten CIGS-Schichten besitzen<br />
eine Schichtdicke von über 2 µm und zeigen diesen Effekt somit nicht. Er ist aber bei der Bestimmung<br />
der Zusammensetzung der Pufferschichten von Bedeutung, weshalb die Bestimmung<br />
der Zusammensetzung bei den Pufferschichten immer an dicken, sprich 20 - 50 nm Schichten<br />
durchgeführt wurde.<br />
DetektierteIStoichiometrieI[a.Iu.]<br />
2.0<br />
1.5<br />
1.0<br />
0.5<br />
0.0<br />
0 2 4 6 8 10 12 14<br />
SubstratdickeIvonICupIn 0.7<br />
Ga 0.3<br />
/Se 2<br />
[nm]<br />
DetektierteIStoichiometrieI[a.Iu.]<br />
2.0<br />
1.5<br />
1.0<br />
0.5<br />
0.0<br />
Cu2p 3/2<br />
In3d 5/2<br />
Ga2p 3/2<br />
Se3d<br />
0 1 2 3 4<br />
FilmdickeIaufICupIn 0.7<br />
Ga 0.3<br />
/Se 2<br />
[nm]<br />
Abbildung 5.4: Verlauf der detektierten Stoichiometrien der einzelnen Emissionslinien<br />
für das Wachstum einer Cu(In 0.7 Ga 0.3 )Se 2 Schicht (links) und der Verlauf der detektierten<br />
Stoichiometrien einer Cu(In 0.7 Ga 0.3 )Se 2 Schicht beim Wachstum eines CdS Films<br />
auf der CIGS-Schicht (rechts).<br />
Die Abschwächung der Emissionslinien des CIGS-Substrates durch einen auf die Oberfläche<br />
aufgebrachten Film oder Adsorbate sorgt ebenfalls für eine fehlerhafte Bestimmung der Stiochiometrie<br />
. In Abbildung 5.4 (rechts) wird dies für CdS auf CIGS betrachtet. Hierbei werden<br />
die Emissionslinien mit kleinen mittleren freien Weglängen wie Ga2p 3/2 und Cu2p 3/2 stärker<br />
abgeschwächt als die Emissionslinien von In3d 5/2 und Se3d. Es resultiert ein Unterschätzung<br />
des Kupfergehalts. Die Ergebnisse anderer Schichten wie ZnO 1−x S x oder einer Adsorbatschicht<br />
zeigen qualitativ die gleichen Ergebnisse wie die der CdS-Schicht.<br />
Eine einfache Abschätzung der Adsorbatdicke ergibt für den Vergleich einer in-situ Probe und<br />
einer an Luft gelagerten Probe eine maximale Adsorbatdicke von unter 2 nm. Durch diese Adsorbatschicht<br />
auf dem CIGS kommt es zu einer Unterschätzung des Kupfergehaltes um bis zu<br />
25 % bei einer Adsorbatdicke von 2 nm. Dies bedeutet, dass die Oberflächen der betrachteten<br />
CIGS-Schichten eine höhere Kupferkonzentration enthalten als gemessen.<br />
Die mit der gleichen Vorgehensweise bestimmte Zusammensetzung für CBD-CdS der Probe<br />
9227156 ergibt 55 % Cd und 45 % S. Diese Übergewichtung des Cadmiumgehalts ist ein systematischer<br />
Fehler, der typisch für das Messsystem DAISY-Sol zu sein scheint. Die wahrschein-<br />
70 5 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie