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zum Indium- und Galliumgehalt. Die in dieser Arbeit untersuchten CIGS-Schichten besitzen<br />

eine Schichtdicke von über 2 µm und zeigen diesen Effekt somit nicht. Er ist aber bei der Bestimmung<br />

der Zusammensetzung der Pufferschichten von Bedeutung, weshalb die Bestimmung<br />

der Zusammensetzung bei den Pufferschichten immer an dicken, sprich 20 - 50 nm Schichten<br />

durchgeführt wurde.<br />

DetektierteIStoichiometrieI[a.Iu.]<br />

2.0<br />

1.5<br />

1.0<br />

0.5<br />

0.0<br />

0 2 4 6 8 10 12 14<br />

SubstratdickeIvonICupIn 0.7<br />

Ga 0.3<br />

/Se 2<br />

[nm]<br />

DetektierteIStoichiometrieI[a.Iu.]<br />

2.0<br />

1.5<br />

1.0<br />

0.5<br />

0.0<br />

Cu2p 3/2<br />

In3d 5/2<br />

Ga2p 3/2<br />

Se3d<br />

0 1 2 3 4<br />

FilmdickeIaufICupIn 0.7<br />

Ga 0.3<br />

/Se 2<br />

[nm]<br />

Abbildung 5.4: Verlauf der detektierten Stoichiometrien der einzelnen Emissionslinien<br />

für das Wachstum einer Cu(In 0.7 Ga 0.3 )Se 2 Schicht (links) und der Verlauf der detektierten<br />

Stoichiometrien einer Cu(In 0.7 Ga 0.3 )Se 2 Schicht beim Wachstum eines CdS Films<br />

auf der CIGS-Schicht (rechts).<br />

Die Abschwächung der Emissionslinien des CIGS-Substrates durch einen auf die Oberfläche<br />

aufgebrachten Film oder Adsorbate sorgt ebenfalls für eine fehlerhafte Bestimmung der Stiochiometrie<br />

. In Abbildung 5.4 (rechts) wird dies für CdS auf CIGS betrachtet. Hierbei werden<br />

die Emissionslinien mit kleinen mittleren freien Weglängen wie Ga2p 3/2 und Cu2p 3/2 stärker<br />

abgeschwächt als die Emissionslinien von In3d 5/2 und Se3d. Es resultiert ein Unterschätzung<br />

des Kupfergehalts. Die Ergebnisse anderer Schichten wie ZnO 1−x S x oder einer Adsorbatschicht<br />

zeigen qualitativ die gleichen Ergebnisse wie die der CdS-Schicht.<br />

Eine einfache Abschätzung der Adsorbatdicke ergibt für den Vergleich einer in-situ Probe und<br />

einer an Luft gelagerten Probe eine maximale Adsorbatdicke von unter 2 nm. Durch diese Adsorbatschicht<br />

auf dem CIGS kommt es zu einer Unterschätzung des Kupfergehaltes um bis zu<br />

25 % bei einer Adsorbatdicke von 2 nm. Dies bedeutet, dass die Oberflächen der betrachteten<br />

CIGS-Schichten eine höhere Kupferkonzentration enthalten als gemessen.<br />

Die mit der gleichen Vorgehensweise bestimmte Zusammensetzung für CBD-CdS der Probe<br />

9227156 ergibt 55 % Cd und 45 % S. Diese Übergewichtung des Cadmiumgehalts ist ein systematischer<br />

Fehler, der typisch für das Messsystem DAISY-Sol zu sein scheint. Die wahrschein-<br />

70 5 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie

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