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Zn(O,S) Puffer Eigenschaften in Cu(
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Für meine Familie
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Abstract This work deals with the c
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3.2.2 Spannungsabhängige Impedanzm
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Literaturverzeichnis 152 Anhang 170
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1 Einleitung 1.1 Motivation Die Pho
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1.2 Gliederung der Arbeit Die Arbei
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schen höchstem besetzten Zustand u
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Durch das Dotieren wird die Ladungs
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2.1.5 Bandverbiegung Die Verschiebu
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∆E VB (1, 2) = I p (2) − I p (1
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drei Größenordnungen kleiner. Der
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Abbildung 2.4: Stromdichte Spannung
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PhotostromdichteW[mA/cm²] 64 48 32
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den. Die Diffusionsspannung sättig
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da die Unterschiede in den Löslich
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Tabelle 2.1: Valenzbandversatz ∆E
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len Zunahme der Ladungsträgerkonze
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Elektronen und Löcher. Dadurch sch
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wendung von unterschiedlichen Probe
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E ≈ h·ν Photoelektron h·ν Pho
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3.1.2 Schematischer Strahlengang De
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Das Produkt aus k und q i entsprich
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~ ~ ~ ~ Abhängigkeit der Schichtdi
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3.2 Impedanzmessungen 3.2.1 Frequen
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und C p1 dem pn-Kontakt der Solarze
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ab, so liegt eine Verteilung der Ze
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Modell nach Schroder [19] geht davo
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Tabelle 3.1: Verwendete Parameter z
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chung (4.1)) und im weiteren Verlau
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Vor jedem Sputtervorgang wurde das
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unterschiedlichen DC-Spannungen dur
- Seite 71 und 72: 5 Röntgen-Photoelektronenspektrosk
- Seite 73 und 74: der CIGS Emissionslinien bei einem
- Seite 75 und 76: tem Wasser und Hydroxiden zu sehen.
- Seite 77 und 78: kein Natrium vorhanden. Die Konzent
- Seite 79 und 80: 5.3.2 CdS Die Bindungsenergien der
- Seite 81 und 82: höheren Bandlücke des CIGS-Absorb
- Seite 83 und 84: lichste Ursache hierfür ist die Ve
- Seite 85 und 86: (rot) oder mittels XPS (grün und b
- Seite 87 und 88: die Galliumkonzentration wieder lei
- Seite 89 und 90: Konzentration5[G] 50 40 30 20 10 0
- Seite 91 und 92: 100 80 70 60 CGI7[%] 60 GGI7[%] 50
- Seite 93 und 94: Berücksichtigung der Emissionslini
- Seite 95 und 96: SKLMM CKKLL 10KminKCdS CdKMNN Na1s
- Seite 97 und 98: Deposition von CdS wird aufgrund de
- Seite 99 und 100: CBD-CdS zwischen der Emissionslinie
- Seite 101 und 102: gesamte Grenzflächenexperiment nah
- Seite 103 und 104: Schichtdicke anzeigt. 2.0 2.0 E F -
- Seite 105 und 106: vom CIGS konstant. Das Valenzbandma
- Seite 107 und 108: Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
- Seite 109 und 110: Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d 5/2 S2p/
- Seite 111 und 112: Pufferschicht zu groß um nur von A
- Seite 113 und 114: 5.6 Temperaturbehandlung der Puffer
- Seite 115 und 116: Der Verlauf des Auger Parameters in
- Seite 117 und 118: Bandlücke, die mit dem bowing-Para
- Seite 119 und 120: Werte von 20, 10 und 5 gewählt. Ei
- Seite 121: höhte Verspannung durch eine höhe
- Seite 125 und 126: Der resultierende Cole-Cole Plot be
- Seite 127 und 128: 10 CBD-ZnOS CBD-CdS D [a. u.] 1 0.1
- Seite 129 und 130: ei 31 °C. Mit steigender Temperatu
- Seite 131 und 132: Ersatzschaltbild C R p1 R p2 C p1 C
- Seite 133 und 134: Deshalb wird für diese Auswertung
- Seite 135 und 136: 6.1.7 Einfluss der Messfrequenz auf
- Seite 137 und 138: Realteild[Ω] 10 7 10 6 10 5 10 4 1
- Seite 139 und 140: 6.2.2 C-V Messungen bei unterschied
- Seite 141 und 142: 6.2.5 Diskussion zum Frontkontakt B
- Seite 143 und 144: gehalten werden. Die ZnO 0.4 S 0.6
- Seite 145 und 146: 25x10 15 20 CdS 31°C CdS 38°C CdS
- Seite 147 und 148: N A [cm -3 ] 10 18 2 6 5 4 3 10 17
- Seite 149 und 150: detektiert werden kann. Die Kapazit
- Seite 151 und 152: Bereich 30°C 38°C 60°C A2 - 22 7
- Seite 153 und 154: In Abbildung 6.25 ist das C-f Verha
- Seite 155 und 156: 7 Zusammenfassung und Schlussfolger
- Seite 157 und 158: Neben einer Änderung des Cu-Gehalt
- Seite 159 und 160: 1 EnergieZ[eV] 0 -1 -2 -3 2.30 Cu7I
- Seite 161 und 162: 7.2 Ausblick Die Proben, die mit R
- Seite 163: 7.3 Fazit CIGS Dünnschichtsolarzel
- Seite 166 und 167: M. Martin, R. A. De Souza, L. Nagar
- Seite 168 und 169: [41] D.J. Schroeder, G.D. Berry, A.
- Seite 170 und 171: [68] S.H. Wei, S.B. Zhang, A. Zunge
- Seite 172 und 173:
[90] D.G. Thomas. The exciton spect
- Seite 174 und 175:
Perera, W. Riedl, F. Karg. Self-lim
- Seite 176 und 177:
[139] P. Zabierowski, U. Rau, M. Ig
- Seite 178 und 179:
[167] A.D. Katnani, G. Margaritondo
- Seite 180 und 181:
[195] B.A. Boukamp. Electrochemical
- Seite 182 und 183:
[219] R. Loef, J. Schoonman, A. Goo
- Seite 184 und 185:
Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
- Seite 186 und 187:
Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
- Seite 188 und 189:
A.4 Detailspektren CBD-ZnO 0.4 S 0.
- Seite 190 und 191:
A.5 Bandanpassungen RF-ZnO 0.5 S 0.
- Seite 192 und 193:
A.7 Impedanzmessungen: C-f in Cole-
- Seite 194 und 195:
A.9 Impedanzmessungen: C-V-t von CB
- Seite 196 und 197:
Tabelle A.2: Fit Ergebnisse, die mi
- Seite 198 und 199:
A.12 Verwendete Daten: Ladungsträg
- Seite 201 und 202:
B Symbole und Abkürzungen χ Elekt
- Seite 203 und 204:
Veröffentlichungen und Konferenzbe
- Seite 205 und 206:
193
- Seite 207:
Danksagung An dieser Stelle möchte
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