Download (8Mb) - tuprints

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

[167] A.D. Katnani, G. Margaritondo. Microscopic study of semiconductor heterojunctions: Photoemission measurement of the valence-band discontinuity and of the potential barrier. Phys. Rev. B, 28(4):1944, 1983. [168] F. Säuberlich. Oberfächen und Grenzfächen polykristalliner kathodenzerstäubter Zinkoxid- Dünnschichten. PhD thesis, Technischen Universität Darmstadt, 2006. [169] G. Friesen, M. E. Özsar, E. D. Dunlop. Impedance model for CdTe solar cells exhibiting constant phase element behaviour. Thin Solid Films, 361-362(0):303–308, 2000. [170] J.R. Macdonald. LEVM, 1990-2000. [171] J.H. Scofield. Effects of series resistance and inductance on solar cell admittance measurements. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 37(2):217–233, 1995. [172] H. Bayhan, A.S. Kavasoglu. Study of CdS/Cu(In,Ga)Se 2 heterojunction interface using admittance and impedance spectroscopy. Solar Energy, 80(9):1160–1164, 2006. [173] Y. Y. Proskuryakov, K. Durose, M. K. Al Turkestani, I. Mora-Sero, G. Garcia-Belmonte, F. Fabregat-Santiago, J. Bisquert, V. Barrioz, D. Lamb, S. J. C. Irvine, E. W. Jones. Impedance spectroscopy of thin-film CdTe/CdS solar cells under varied illumination. J. Appl. Phys., 106(4):044507, 2009. [174] T. Eisenbarth, T. Unold, R. Caballero, C.A. Kaufmann, H.W. Schock. Interpretation of admittance, capacitance-voltage, and current-voltage signatures in Cu(In,Ga)Se 2 thin film solar cells. J. Appl. Phys., 107(3):034509, 2010. [175] A.K. Jonscher. A new understanding of the dielectric relaxation of solids. J. Mater. Sci., 16(8):2037–2060, 1981. [176] A.K. Jonscher. Dielectric relaxation in solids. J. Phys. D: Appl. Phys., 32(14):R57–R70, 1999. [177] T. Heiser, A. Mesli. Determination of the copper diffusion coefficient in silicon from transient ion-drift. Appl. Phys. A, 57(4):325–328, 1993. [178] A. Zamouche, T. Heiser, A. Mesli. Investigation of fast diffusing impurities in silicon by a transient ion drift method. Appl. Phys. Lett., 66(5):631–633, 1995. [179] I. Lyubomirsky, M.K. Rabinal, D. Cahen. Room-temperature detection of mobile impurities in compound semiconductors by transient ion drift. J. Appl. Phys., 81(10):6684– 6691, 1997. [180] T. Heiser, E.R. Weber. Transient ion-drift-induced capacitance signals in semiconductors. Phys. Rev. B, 58(7):3893, 1998. 166 Literaturverzeichnis
[181] A. Urbaniak, M. Igalson, S. Siebentritt. Kinetics of Charge Trapping and Emission in CIGS Solar Cells. MRS Proceedings, 1012:Y12–16, 2007. [182] A. Urbaniak, M. Igalson. Creation and relaxation of light- and bias-induced metastabilities in Cu(In,Ga)Se 2 . J. Appl. Phys., 106(6):063720, 2009. [183] A.K. Jonscher. The „universal“ dielectric response. Nature, 267:673–679, 1977. [184] M. Burgelman, P. Nollet, S. Degrave. Modelling polycrystalline semiconductor solar cells. Thin Solid Films, 361-362:527 – 532, 2000. [185] M. Burgelman, J. Marlein. Analysis of graded band gap solar cells with SCAPS. EUPVSEC, 23rd:2151–2155, 2008. [186] K. Decock, S. Khelifi, M. Burgelman. Modelling multivalent defects in thin film solar cells. Thin Solid Films, 519(21):7481–7484, 2011. [187] K. Decock, P. Zabierowski, M. Burgelman. Modeling metastabilities in chalcopyrite-based thin film solar cells. J. Appl. Phys., 111(4):043703, 2012. [188] J.W. Lee, D.B. Needleman, W.N. Shafarman, J.D. Cohen. Understanding Metastable Defect Creation in CIGS by Detailed Device Modeling and Measurements on Bifacial Solar Cells. MRS Proceedings, 1012:Y04–02, 2007. [189] R. Scheer. Towards an electronic model for CuIn 1−x Ga x Se 2 solar cells. Thin Solid Films, 519(21):7472–7475, 2011. [190] J. Pettersson, C. Platzer-Björkman, U. Zimmermann, M. Edoff. Baseline model of gradedabsorber Cu(In,Ga)Se 2 solar cells applied to cells with Zn 1−x Mg x O buffer layers. Thin Solid Films, 519(21):7476–7480, 2011. [191] K. Ellmer. Magnetron sputtering of transparent conductive zinc oxide: relation between the sputtering parameters and the electronic properties. J. Phys. D: Appl. Phys., 33:R17– R32, 2000. [192] R. Hunger, T. Schulmeyer, A. Klein, W. Jaegermann, K. Sakurai, A. Yamada, P. Fons, K. Matsubara, S. Niki. An option for the surface science on Cu chalcopyrites: the selenium capping and decapping process. Surf. Sci., 557(1-3):263–268, 2004. [193] J. Fritsche, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Film Solar Cells: Materials Science at Interfaces. Adv. Eng. Mater., 7(10):914–920, 2005. [194] B.A. Boukamp. A Linear Kronig-Kramers Transform Test for Immittance Data Validation. J. Electrochem. Soc., 142(6):1885–1894, 1995. Literaturverzeichnis 167
Seite 1 und 2:
Zn(O,S) Puffer Eigenschaften in Cu(
Seite 3:
Für meine Familie
Seite 7:
Abstract This work deals with the c
Seite 10 und 11:
3.2.2 Spannungsabhängige Impedanzm
Seite 12 und 13:
Literaturverzeichnis 152 Anhang 170
Seite 15 und 16:
1 Einleitung 1.1 Motivation Die Pho
Seite 17:
1.2 Gliederung der Arbeit Die Arbei
Seite 20 und 21:
schen höchstem besetzten Zustand u
Seite 22 und 23:
Durch das Dotieren wird die Ladungs
Seite 24 und 25:
2.1.5 Bandverbiegung Die Verschiebu
Seite 26 und 27:
∆E VB (1, 2) = I p (2) − I p (1
Seite 28 und 29:
drei Größenordnungen kleiner. Der
Seite 30 und 31:
Abbildung 2.4: Stromdichte Spannung
Seite 32 und 33:
PhotostromdichteW[mA/cm²] 64 48 32
Seite 34 und 35:
den. Die Diffusionsspannung sättig
Seite 36 und 37:
da die Unterschiede in den Löslich
Seite 38 und 39:
Tabelle 2.1: Valenzbandversatz ∆E
Seite 40 und 41:
len Zunahme der Ladungsträgerkonze
Seite 42 und 43:
Elektronen und Löcher. Dadurch sch
Seite 44 und 45:
wendung von unterschiedlichen Probe
Seite 46 und 47:
E ≈ h·ν Photoelektron h·ν Pho
Seite 48 und 49:
3.1.2 Schematischer Strahlengang De
Seite 50 und 51:
Das Produkt aus k und q i entsprich
Seite 52 und 53:
~ ~ ~ ~ Abhängigkeit der Schichtdi
Seite 54 und 55:
3.2 Impedanzmessungen 3.2.1 Frequen
Seite 56 und 57:
und C p1 dem pn-Kontakt der Solarze
Seite 58 und 59:
ab, so liegt eine Verteilung der Ze
Seite 60 und 61:
Modell nach Schroder [19] geht davo
Seite 62 und 63:
Tabelle 3.1: Verwendete Parameter z
Seite 64 und 65:
chung (4.1)) und im weiteren Verlau
Seite 66 und 67:
Vor jedem Sputtervorgang wurde das
Seite 68 und 69:
unterschiedlichen DC-Spannungen dur
Seite 71 und 72:
5 Röntgen-Photoelektronenspektrosk
Seite 73 und 74:
der CIGS Emissionslinien bei einem
Seite 75 und 76:
tem Wasser und Hydroxiden zu sehen.
Seite 77 und 78:
kein Natrium vorhanden. Die Konzent
Seite 79 und 80:
5.3.2 CdS Die Bindungsenergien der
Seite 81 und 82:
höheren Bandlücke des CIGS-Absorb
Seite 83 und 84:
lichste Ursache hierfür ist die Ve
Seite 85 und 86:
(rot) oder mittels XPS (grün und b
Seite 87 und 88:
die Galliumkonzentration wieder lei
Seite 89 und 90:
Konzentration5[G] 50 40 30 20 10 0
Seite 91 und 92:
100 80 70 60 CGI7[%] 60 GGI7[%] 50
Seite 93 und 94:
Berücksichtigung der Emissionslini
Seite 95 und 96:
SKLMM CKKLL 10KminKCdS CdKMNN Na1s
Seite 97 und 98:
Deposition von CdS wird aufgrund de
Seite 99 und 100:
CBD-CdS zwischen der Emissionslinie
Seite 101 und 102:
gesamte Grenzflächenexperiment nah
Seite 103 und 104:
Schichtdicke anzeigt. 2.0 2.0 E F -
Seite 105 und 106:
vom CIGS konstant. Das Valenzbandma
Seite 107 und 108:
Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
Seite 109 und 110:
Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d 5/2 S2p/
Seite 111 und 112:
Pufferschicht zu groß um nur von A
Seite 113 und 114:
5.6 Temperaturbehandlung der Puffer
Seite 115 und 116:
Der Verlauf des Auger Parameters in
Seite 117 und 118:
Bandlücke, die mit dem bowing-Para
Seite 119 und 120:
Werte von 20, 10 und 5 gewählt. Ei
Seite 121 und 122:
höhte Verspannung durch eine höhe
Seite 123 und 124:
6 Impedanzmessungen In diesem Kapit
Seite 125 und 126:
Der resultierende Cole-Cole Plot be
Seite 127 und 128: 10 CBD-ZnOS CBD-CdS D [a. u.] 1 0.1
Seite 129 und 130: ei 31 °C. Mit steigender Temperatu
Seite 131 und 132: Ersatzschaltbild C R p1 R p2 C p1 C
Seite 133 und 134: Deshalb wird für diese Auswertung
Seite 135 und 136: 6.1.7 Einfluss der Messfrequenz auf
Seite 137 und 138: Realteild[Ω] 10 7 10 6 10 5 10 4 1
Seite 139 und 140: 6.2.2 C-V Messungen bei unterschied
Seite 141 und 142: 6.2.5 Diskussion zum Frontkontakt B
Seite 143 und 144: gehalten werden. Die ZnO 0.4 S 0.6
Seite 145 und 146: 25x10 15 20 CdS 31°C CdS 38°C CdS
Seite 147 und 148: N A [cm -3 ] 10 18 2 6 5 4 3 10 17
Seite 149 und 150: detektiert werden kann. Die Kapazit
Seite 151 und 152: Bereich 30°C 38°C 60°C A2 - 22 7
Seite 153 und 154: In Abbildung 6.25 ist das C-f Verha
Seite 155 und 156: 7 Zusammenfassung und Schlussfolger
Seite 157 und 158: Neben einer Änderung des Cu-Gehalt
Seite 159 und 160: 1 EnergieZ[eV] 0 -1 -2 -3 2.30 Cu7I
Seite 161 und 162: 7.2 Ausblick Die Proben, die mit R
Seite 163: 7.3 Fazit CIGS Dünnschichtsolarzel
Seite 166 und 167: M. Martin, R. A. De Souza, L. Nagar
Seite 168 und 169: [41] D.J. Schroeder, G.D. Berry, A.
Seite 170 und 171: [68] S.H. Wei, S.B. Zhang, A. Zunge
Seite 172 und 173: [90] D.G. Thomas. The exciton spect
Seite 174 und 175: Perera, W. Riedl, F. Karg. Self-lim
Seite 176 und 177: [139] P. Zabierowski, U. Rau, M. Ig
Seite 180 und 181: [195] B.A. Boukamp. Electrochemical
Seite 182 und 183: [219] R. Loef, J. Schoonman, A. Goo
Seite 184 und 185: Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
Seite 186 und 187: Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
Seite 188 und 189: A.4 Detailspektren CBD-ZnO 0.4 S 0.
Seite 190 und 191: A.5 Bandanpassungen RF-ZnO 0.5 S 0.
Seite 192 und 193: A.7 Impedanzmessungen: C-f in Cole-
Seite 194 und 195: A.9 Impedanzmessungen: C-V-t von CB
Seite 196 und 197: Tabelle A.2: Fit Ergebnisse, die mi
Seite 198 und 199: A.12 Verwendete Daten: Ladungsträg
Seite 201 und 202: B Symbole und Abkürzungen χ Elekt
Seite 203 und 204: Veröffentlichungen und Konferenzbe
Seite 205 und 206: 193
Seite 207: Danksagung An dieser Stelle möchte
Alle anzeigen

Download (8Mb) - tuprints

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?