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6 Impedanzmessungen<br />
In diesem Kapitel werden die Ergebnisse der Impedanzmessungen an einer Zelle mit CBD-CdS<br />
und einer mit CBD-ZnO 0.4 S 0.6 Pufferschicht dargestellt und diskutiert. Am Ende des Kapitels<br />
werden die erhaltenen Ergebnisse mit Daten, die aus der Simulation mit SCAPS ermittelt wurden,<br />
verglichen.<br />
Die JV-Kennlinien der beiden hier betrachteten Solarzellen mit CBD-CdS und CBD-ZnO 0.4 S 0.6<br />
Puffer sind in Abbildung 6.1 repräsentativ für alle untersuchten Solarzellen nach Light Soaking<br />
gezeigt. Die Zelle mit CdS Puffer besitzt die höhere Leerlaufspannung und die Zelle mit<br />
ZnO 0.4 S 0.6 Puffer besitzt die höhere Kurzschlussstromdichte. Aufgrund der höheren Bandlücke<br />
des ZnO 0.4 S 0.6 Puffers wird sowohl eine höhere Kurzschlussstromdichte, als auch eine höhere<br />
Leerlaufspannung für die Zelle mit ZnO 0.4 S 0.6 Puffer im Vergleich zu der mit CdS Puffer erwartet.<br />
Die zu geringe Leerlaufspannung im Fall des ZnO 0.4 S 0.6 Puffers ist Gegenstand der aktuellen<br />
Forschung, aber nicht Thema dieser Arbeit.<br />
30<br />
Stromdichte5[mA/cm²]<br />
20<br />
10<br />
0<br />
0.0<br />
CdS59160553<br />
ZnOS59160756<br />
0.2<br />
0.4<br />
Spannung5[V]<br />
0.6<br />
Abbildung 6.1: JV Kennlinien der<br />
Solarzellen mit CBD-CdS und CBD-<br />
ZnO 0.4 S 0.6 Puffer nach Light Soaking. Die<br />
Zelle mit ZnO 0.4 S 0.6 Puffer zeigt aufgrund<br />
der höheren Bandlücke des Puffermaterials<br />
von ZnO 0.4 S 0.6 im Vergleich zu CdS den<br />
höheren Kurzschlussstrom. Die Leerlaufspannung<br />
sollte wegen der höheren<br />
Bandlücke von ZnO 0.4 S 0.6 einen höheren<br />
Wert erreichen als für die Zelle mit CdS<br />
Puffer. Dies ist hier jedoch nicht der Fall<br />
und Gegenstand der aktuellen Forschung.<br />
In Tabelle 6.1 sind die, aus IV-Messungen erhaltenen, Kenndaten der beiden Zellen nach<br />
Light Soaking gezeigt. Aufgrund der höheren Bandlücke des ZnO 0.4 S 0.6 Puffers, ist I SC bei<br />
der ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle 0.5 mA höher als bei der CdS-Zelle. V OC der ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle liegt ungefähr<br />
100 mV unterhalb der CdS-Zelle. Hieraus resultiert der deutlich geringere Wirkungsgrad<br />
der ZnO 0.4 S 0.6 -Zelle im Vergleich zu der CdS-Zelle.<br />
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