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RF-ZnO 0.95<br />
S 0.05<br />
RF-ZnO 0.71<br />
S 0.29<br />
Intensität9[a.9u.]<br />
RF-ZnO 0.18<br />
S 0.82<br />
Abbildung 5.29: Detailspektren der S2p Emissionslinie<br />
für unterschiedliche Schwefelgehalte<br />
von RF-ZnO 1−x S x Proben. Ab einem Schwefelgehalt<br />
von 0.29 ist eine zusätzliche Emission von<br />
Sulfat-Verbindungen bei einer Bindungsenergie<br />
von 170 eV zu sehen.<br />
RF-ZnS<br />
172 168 164 160<br />
Bindungsenergie9[eV]<br />
Valenzbandversätze zueinander, der über der Messgenauigkeit liegt, und einen Wert von 0.3 eV<br />
besitzt. Die Werte, die aus dem Sputtertiefenprofil bestimmt wurden liegen mit 1.2 und 1.3 eV<br />
im Bereich von ZnS, während die Zusammensetzung der beiden Proben ungefähr 50 % Sauerstoff<br />
enthält. Somit ist im Fall von RF-ZnO 0.45 S 0.55 und RF-ZnO 0.5 S 0.5 zu schlussfolgern, dass die<br />
mittels des Grenzflächenexperimentes bestimmten Valenzbandversätze die belastbareren Werte<br />
darstellen.<br />
Generell ist zu erkennen, dass die mittels Sputtertiefenprofil bestimmten Valenzbandversätze<br />
bei geringeren Werten liegen als die mittels Grenzflächenexperiment bestimmten Valenzbandversätze.<br />
Es wird davon aus gegangen, dass die reduzierenden Bedingungen beim Sputtern zu<br />
diesem geringeren Valenzbandversatz führen. Dies wird bei Rekapitulation der Ergebnisse aus<br />
Abschnitt 5.3 deutlich: Durch das Sputtern ändert sich die Bindungsenergie der Emissionslinien<br />
des CIGS deutlich um 0.2 bis 0.4 eV zu niedrigeren Bindungsenergien (für Ga2p 3/2 , Cu2p 3/2<br />
und In3d 5/2 ) bzw. zu höheren Bindungsenergien für Se3d, während sich die Bindungsenergien<br />
von Cd3d 5/2 und S2p in CdS nur um 0.1 eV und die von Zn2p 3/2 , O1s und S2p in ZnO 1−x S x um<br />
0.1 bis 0.2 eV ändern. Die Differenz dieser Bindungsenergieänderung entspricht in etwa den um<br />
0.1 eV geringeren ∆E STP im Vergleich zu ∆E GF .<br />
100 5 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie