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RF-ZnO 0.95
S 0.05
RF-ZnO 0.71
S 0.29
Intensität9[a.9u.]
RF-ZnO 0.18
S 0.82
Abbildung 5.29: Detailspektren der S2p Emissionslinie
für unterschiedliche Schwefelgehalte
von RF-ZnO 1−x S x Proben. Ab einem Schwefelgehalt
von 0.29 ist eine zusätzliche Emission von
Sulfat-Verbindungen bei einer Bindungsenergie
von 170 eV zu sehen.
RF-ZnS
172 168 164 160
Bindungsenergie9[eV]
Valenzbandversätze zueinander, der über der Messgenauigkeit liegt, und einen Wert von 0.3 eV
besitzt. Die Werte, die aus dem Sputtertiefenprofil bestimmt wurden liegen mit 1.2 und 1.3 eV
im Bereich von ZnS, während die Zusammensetzung der beiden Proben ungefähr 50 % Sauerstoff
enthält. Somit ist im Fall von RF-ZnO 0.45 S 0.55 und RF-ZnO 0.5 S 0.5 zu schlussfolgern, dass die
mittels des Grenzflächenexperimentes bestimmten Valenzbandversätze die belastbareren Werte
darstellen.
Generell ist zu erkennen, dass die mittels Sputtertiefenprofil bestimmten Valenzbandversätze
bei geringeren Werten liegen als die mittels Grenzflächenexperiment bestimmten Valenzbandversätze.
Es wird davon aus gegangen, dass die reduzierenden Bedingungen beim Sputtern zu
diesem geringeren Valenzbandversatz führen. Dies wird bei Rekapitulation der Ergebnisse aus
Abschnitt 5.3 deutlich: Durch das Sputtern ändert sich die Bindungsenergie der Emissionslinien
des CIGS deutlich um 0.2 bis 0.4 eV zu niedrigeren Bindungsenergien (für Ga2p 3/2 , Cu2p 3/2
und In3d 5/2 ) bzw. zu höheren Bindungsenergien für Se3d, während sich die Bindungsenergien
von Cd3d 5/2 und S2p in CdS nur um 0.1 eV und die von Zn2p 3/2 , O1s und S2p in ZnO 1−x S x um
0.1 bis 0.2 eV ändern. Die Differenz dieser Bindungsenergieänderung entspricht in etwa den um
0.1 eV geringeren ∆E STP im Vergleich zu ∆E GF .
100 5 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie