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sultierenden Schichtdicken sind in Tabelle 5.2 angegeben. Vor dem ersten Depositionsschritt
sind weder Emissionslinien des Cadmiums noch des Schwefels zu erkennen. Nach dem ersten
Depositionsschritt ist bereits deutlich die Emissionslinie von Cd3d 5/2 zu erkennen. Das Schwefelsignal
zeigt sich als Schulter in der Se3p Emissionslinie. Die Se3p Emissionslinie zeigt vor
dem ersten Depositionsschritt eine deutliche Asymmetrie mit einer zweiten Komponente, die
ungefähr 1 eV bei höheren Bindungsenergien liegt und somit zu einer flacheren linken Flanke
führt. Nach dem dritten Depositionsschritt ist die CdS-Schicht bereits dick genug um die Emissionslinien
des Substrates vollständig abzuschirmen, so dass die Emissionslinien von Ga2p 3/2 ,
Cu2p 3/2 , In3d 5/2 und Se3d nicht mehr detektierbar sind. Die Struktur des Valenzbands ist von
dem des CIGS mit einem Valenzbandmaximum von 0.4 eV zu dem des CdS mit einem Valenzbandmaximum
von 1.6 eV über gegangen. Die Bindungsenergien der Emissionslinien des CIGS
und des CdS ändern sich mit zunehmender Abscheidedauer kaum.
Ga2p 3/2
Cu2p 3/2
In3d 5/2
Cd3d 5/2
S2p]/]Se3p Se3d Valenzband
10]min
Intensität][a.]u.]
4]min
3]min
1]min
0.1]min
0]min
112111181115 935 932 929 448 445 442 408 405 402 169166163160 58 55 52 5 3 1
Bindungsenergie][eV]
Abbildung 5.16: Emissionslinien des Grenzflächenexperiments der CIGS/CBD-CdS
Grenzfläche.
Keine der gezeigten Emissionslinien weist Zeichen von Oxidation in Form von zusätzlichen
Schultern in den Emissionslinien auf. Diese würden am wahrscheinlichsten beim Gallium auftreten
und sich als Schulter bei höheren Bindungsenergien zeigen. Eine Oxidation des CIGS nach
84 5 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie