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Zn(O,S) Puffer Eigenschaften in Cu(
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Für meine Familie
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Abstract This work deals with the c
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3.2.2 Spannungsabhängige Impedanzm
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Literaturverzeichnis 152 Anhang 170
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1 Einleitung 1.1 Motivation Die Pho
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1.2 Gliederung der Arbeit Die Arbei
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schen höchstem besetzten Zustand u
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Durch das Dotieren wird die Ladungs
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2.1.5 Bandverbiegung Die Verschiebu
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∆E VB (1, 2) = I p (2) − I p (1
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drei Größenordnungen kleiner. Der
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Abbildung 2.4: Stromdichte Spannung
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PhotostromdichteW[mA/cm²] 64 48 32
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den. Die Diffusionsspannung sättig
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da die Unterschiede in den Löslich
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Tabelle 2.1: Valenzbandversatz ∆E
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len Zunahme der Ladungsträgerkonze
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Elektronen und Löcher. Dadurch sch
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wendung von unterschiedlichen Probe
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E ≈ h·ν Photoelektron h·ν Pho
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3.1.2 Schematischer Strahlengang De
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Das Produkt aus k und q i entsprich
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~ ~ ~ ~ Abhängigkeit der Schichtdi
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3.2 Impedanzmessungen 3.2.1 Frequen
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und C p1 dem pn-Kontakt der Solarze
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ab, so liegt eine Verteilung der Ze
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Modell nach Schroder [19] geht davo
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Tabelle 3.1: Verwendete Parameter z
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chung (4.1)) und im weiteren Verlau
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Vor jedem Sputtervorgang wurde das
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unterschiedlichen DC-Spannungen dur
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5 Röntgen-Photoelektronenspektrosk
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der CIGS Emissionslinien bei einem
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tem Wasser und Hydroxiden zu sehen.
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kein Natrium vorhanden. Die Konzent
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5.3.2 CdS Die Bindungsenergien der
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höheren Bandlücke des CIGS-Absorb
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lichste Ursache hierfür ist die Ve
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(rot) oder mittels XPS (grün und b
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die Galliumkonzentration wieder lei
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Konzentration5[G] 50 40 30 20 10 0
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100 80 70 60 CGI7[%] 60 GGI7[%] 50
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Berücksichtigung der Emissionslini
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SKLMM CKKLL 10KminKCdS CdKMNN Na1s
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Deposition von CdS wird aufgrund de
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CBD-CdS zwischen der Emissionslinie
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gesamte Grenzflächenexperiment nah
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Schichtdicke anzeigt. 2.0 2.0 E F -
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vom CIGS konstant. Das Valenzbandma
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Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
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Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d 5/2 S2p/
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Pufferschicht zu groß um nur von A
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5.6 Temperaturbehandlung der Puffer
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Der Verlauf des Auger Parameters in
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Bandlücke, die mit dem bowing-Para
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Werte von 20, 10 und 5 gewählt. Ei
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höhte Verspannung durch eine höhe
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6 Impedanzmessungen In diesem Kapit
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Der resultierende Cole-Cole Plot be
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10 CBD-ZnOS CBD-CdS D [a. u.] 1 0.1
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ei 31 °C. Mit steigender Temperatu
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Ersatzschaltbild C R p1 R p2 C p1 C
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Deshalb wird für diese Auswertung
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6.1.7 Einfluss der Messfrequenz auf
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Realteild[Ω] 10 7 10 6 10 5 10 4 1
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6.2.2 C-V Messungen bei unterschied
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6.2.5 Diskussion zum Frontkontakt B
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gehalten werden. Die ZnO 0.4 S 0.6
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25x10 15 20 CdS 31°C CdS 38°C CdS
- Seite 147 und 148: N A [cm -3 ] 10 18 2 6 5 4 3 10 17
- Seite 149 und 150: detektiert werden kann. Die Kapazit
- Seite 151 und 152: Bereich 30°C 38°C 60°C A2 - 22 7
- Seite 153 und 154: In Abbildung 6.25 ist das C-f Verha
- Seite 155 und 156: 7 Zusammenfassung und Schlussfolger
- Seite 157 und 158: Neben einer Änderung des Cu-Gehalt
- Seite 159 und 160: 1 EnergieZ[eV] 0 -1 -2 -3 2.30 Cu7I
- Seite 161 und 162: 7.2 Ausblick Die Proben, die mit R
- Seite 163: 7.3 Fazit CIGS Dünnschichtsolarzel
- Seite 166 und 167: M. Martin, R. A. De Souza, L. Nagar
- Seite 168 und 169: [41] D.J. Schroeder, G.D. Berry, A.
- Seite 170 und 171: [68] S.H. Wei, S.B. Zhang, A. Zunge
- Seite 172 und 173: [90] D.G. Thomas. The exciton spect
- Seite 174 und 175: Perera, W. Riedl, F. Karg. Self-lim
- Seite 176 und 177: [139] P. Zabierowski, U. Rau, M. Ig
- Seite 178 und 179: [167] A.D. Katnani, G. Margaritondo
- Seite 180 und 181: [195] B.A. Boukamp. Electrochemical
- Seite 182 und 183: [219] R. Loef, J. Schoonman, A. Goo
- Seite 184 und 185: Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
- Seite 186 und 187: Ga2p 3/2 Zn2p 3/2 Cu2p 3/2 O1s In3d
- Seite 188 und 189: A.4 Detailspektren CBD-ZnO 0.4 S 0.
- Seite 190 und 191: A.5 Bandanpassungen RF-ZnO 0.5 S 0.
- Seite 192 und 193: A.7 Impedanzmessungen: C-f in Cole-
- Seite 194 und 195: A.9 Impedanzmessungen: C-V-t von CB
- Seite 196 und 197: Tabelle A.2: Fit Ergebnisse, die mi
- Seite 201 und 202: B Symbole und Abkürzungen χ Elekt
- Seite 203 und 204: Veröffentlichungen und Konferenzbe
- Seite 205 und 206: 193
- Seite 207: Danksagung An dieser Stelle möchte
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