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CBD-CdS zwischen der Emissionslinie des In3d 5/2 und des Cd3d 5/2 auf 1.18±0.1 eV bestimmt.<br />

Die Bandanpassung, die aus dem Sputtertiefenprofil bestimmt wurde zeigt für das Valenzbandmaximum<br />

vom CIGS im Volumen des Materials eine erhöhte Position des Valenzbandmaximums<br />

von 0.5 eV im Vergleich zur Grenzfläche zum CdS, wo das Valenzbandmaximum 0.35 eV beträgt.<br />

E F -IE VBM [eV]<br />

1.6<br />

1.4<br />

1.2<br />

1.0<br />

0.8<br />

0.6<br />

0.4<br />

0.2<br />

1.18<br />

~ ~<br />

~ ~<br />

Cu2p 3/2<br />

In3d 5/2<br />

Ga2p 3/2<br />

Se3d<br />

Cd3d 5/2<br />

S2p<br />

E F -IE VBM [eV]<br />

2.0<br />

1.5<br />

1.0<br />

0.5<br />

1.0<br />

0<br />

4 8 12<br />

SchichtdickeI[nm]<br />

50<br />

0<br />

2000 4000 6000<br />

SputterzeitI[s]<br />

Abbildung 5.18: Bandanpassung für CIGS/CBD-CdS mittels eines Grenzflächenexperimentes<br />

(links) und eines Sputtertiefenprofils (rechts) bestimmt. Die resultierenden<br />

Valenzbandversätze sind eingezeichnet.<br />

Ab einer Gesamtsputterzeit von ca. 3000 s bleibt das Valenzbandmaximum des CIGS konstant.<br />

Die Intensität der S2p Emissionslinie ist hier schon sehr schwach und kann gerade noch von<br />

der darunter liegenden Se3p Emissionslinie getrennt werden. Der anfängliche Wert des Valenzbandmaximums<br />

des CdS entspricht dem Wert für das Valenzbandmaximum beim Grenzflächen-<br />

Experiment bei einer Pufferdicke von 50 nm. Schon nach einem Sputterschritt sinkt das Valenzbandmaximum<br />

um 0.1 eV ab und steigt bei der Detektion der CIGS Emissionslinien von 1.5 eV<br />

auf 2.0 eV an.<br />

Das Valenzbandmaximum des CIGS liegt an der Grenzfläche zum CdS sowohl im Grenzflächen-<br />

Experiment als auch im Sputtertiefenprofil bei 0.35 eV. Im Volumen des CIGS liegt das Valenzbandmaximum<br />

bei 0.5 eV.<br />

Der Valenzbandversatz kann aus der Differenz zwischen den Verläufen der beiden Valenzbänder<br />

bestimmt werden. Hierzu wird der Wert des Valenzbandmaximums von CdS bei einer Sputterzeit<br />

von 1000 s und der Wert des Valenzbandmaximums von CIGS bei einer Sputterzeit von<br />

4000 s verwendet. Dies ergibt einen Wert von 1.0±0.1 eV.<br />

Beide Experimente zur Bestimmung der Bandanpassung weisen für CBD-CdS die gleichen<br />

Anfangs- bzw. Endwerte für die Positionen der Valenzbandmaxima für CdS als auch CIGS auf.<br />

Des weiteren unterscheiden sich die erhaltenen Valenzbandversätze nur im Rahmen der Mes-<br />

5.5 Grenzflächenexperimente 87

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