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View/Open - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

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2.1 Grundlagen der Elektrodynamik 23<br />

Brechungsindex<br />

Liegen keine freie Ladungen und Ströme vor, so vereinfachen sich die Wellengleichungen<br />

(Gl. 2.7 und 2.8). Eine einfache Lösung der Maxwell’schen Gleichungen<br />

wird dann durch Überlagerung von ebenen, elektromagnetischen Wellen der<br />

Form<br />

E(r,t) =E0e i(k·r−ωt)<br />

und B(r,t) =B0e i(k·r−ωt)<br />

(2.12)<br />

beschrieben. Der Betrag des Wellenvektors<br />

|k| = ω<br />

c<br />

ñ (2.13)<br />

ist abhängig von der Kreisfrequenz ω der elektromagnetischen Welle und vom<br />

komplexen Brechungsindex<br />

�<br />

ñ(ω) =n(ω)+iκ(ω) = ɛ(ω). (2.14)<br />

mit Realteil n(ω) und Imaginärteil κ(ω). Der Brechungsindex kann nach Gl. 2.14<br />

für nichtmagnetische Materialien (μ(ω) = μ0) direkt aus der dielektrischen<br />

Funktion ɛ(ω) abgeleitet werden und beschreibt die optischen bzw. elektrischen<br />

Eigenschaften der Materie. Für die komplexe dielektrische Funktion gilt:<br />

ɛ(ω) =ɛ ′ (ω)+iɛ ′′ (ω) (2.15a)<br />

ɛ ′ (ω) =n 2 (ω) − κ 2 (ω) (2.15b)<br />

ɛ ′′ (ω) =2n(ω)κ(ω). (2.15c)<br />

Hierbei geben ɛ ′ (ω) den Realteil und ɛ ′′ (ω) den Imaginärteil der dielektrischen<br />

Funktion an. Liegt keine magnetische Eigenschaft des Materials vor (μ = 1), wie<br />

z. B. im nichtmagnetischen Halbleiter, so folgt aus der Lösung der Maxwell’schen<br />

Gleichungen<br />

ñ 2 = ɛ ′ − i 4πσ<br />

. (2.16)<br />

ω<br />

Dies liefert schließlich<br />

n 2 = 1<br />

2 ɛ′<br />

⎛�<br />

⎝ 1 +<br />

� �2 4πσ<br />

ωɛ<br />

⎞<br />

+ 1⎠<br />

und κ 2 = 1<br />

2 ɛ′<br />

⎛�<br />

⎝ 1 +<br />

� �2 4πσ<br />

ωɛ<br />

⎞<br />

− 1⎠<br />

. (2.17)<br />

Wenn die elektrische Leitfähigkeit gegen null strebt, wie z. B. in Isolatoren, dann<br />

wird n ≈ √ ɛ und κ ≈ 0. Das Material wird transparent. Zwischen dem Brechungsindex<br />

und der Bandlücke eines Halbleiters existiert die empirische Beziehung<br />

[27, 28]:<br />

n 4 · Eg = 77. (2.18)<br />

Diese sogenannte Moss-Regel gilt für Halbleiter mit einem Brechungsindex<br />

zwischen 2,4 und 4,5.

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