View/Open - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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84 Kapitel 6: Nahfeldeffekte in Dünnschichtsolarzellen<br />
den Kraterwänden und die Ränder der Krater treten mit Lichtlokalisierungen,<br />
wenn auch in einer schwächeren Form, hervor.<br />
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Abbildung 6.1: Ergebnisse von NSOM-Messungen in Transmission an der Oberfläche<br />
einer rauen ca. 200 nm dicken a-Si:H-Schicht (a) und an der Oberfläche<br />
einer rauen ca. 1 μm dicken μc-Si:H-Schicht (b) bei einer Wellenlänge<br />
von 658 nm. (c) Topographie einer mit a-Si:H bedeckten Kraterstruktur<br />
und zugehörige NSOM-Messungen bei Wellenlängen von 473 nm und<br />
780 nm.<br />
Das Messen evaneszenter Felder an den texturierten a-Si:H-und μc-Si:H-Oberflächen<br />
ist von zentraler Bedeutung. Für die Dünnschichtsolarzelle ist eine optimale<br />
Lichtführung essentiell, da nur ein möglich langes Verweilen der Lichtmoden in<br />
der photovoltaisch aktiven Schicht eine maximale Generation von Ladungsträgern<br />
gewährleisten kann. Da evaneszente Felder auf Grund von Totalreflexionen an<br />
der Grenzfläche entstehen, sollte ihr Vorkommen als Maß für die Lichtführung<br />
geeignet sein. Anhand der in Abb. 6.1(c) gezeigten Kraterstruktur ist zu erkennen,<br />
dass analog zum Fall der reinen ZnO:Al-Oberfläche an Luft auch die a-Si:H-<br />
Oberfläche an den Kraterwänden eine Lichtführung ermöglicht. Evaneszente<br />
Felder sind an diesen Stellen besonders häufig anzutreffen.<br />
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