Mécanismes d'évolution de texture au cours du recuit d'alliages de ...

Chapitre 2: Étude bibliographique
de ce grain dit « parent » et on parle d'un mécanisme de Strain Induced Boundary
Migration (SIBM).
Le mécanisme de SIBM a été décrit pour la première fois par Beck et Sperry [Bec50], et
concerne la croissance d'un grain écroui à l'intérieur d'un grain voisin, qui devient parfait
au long du processus. La force motrice pour la migration est ici la différence de
dislocations de part et d'autre du joint.
a) ancrage de la structure de
dislocations au joint mobile
b) migration de joint libéré de la
structure de dislocations
Figure 2-17: les différents cas de SIBM [Hum96]
c) SIBM à partir d'un sous-grain
initialement gros
Plus récemment, Bate et Hutchinson [Bat97] ont remis en question la définition originelle
du mécanisme en incorporant les changements nécessaires de la structure de dislocations
en arrière du joint (Fig. 2-17a), et en ont donné une formulation plus précise, prédisant par
exemple un avantage pour les cellules de faible taille.
Dans une étude de la recristallisation de l'aluminium Bellier et Doherty [Bel77] ont pu
observer la croissance de paquets de grains contigus aux abords de certains joints, en
particulier dans des bandes de déformation formant des désorientations d'axe .
Dans la même étude ils font état de l'importance du taux de déformation initial, constatant:
– que les échantillons faiblement déformés (10% de compression) recristallisaient
presque exclusivement par SIBM,
– qu'à partir de 20% de déformation, l'origine des germes était progressivement
remplacée par des mécanismes classique de croissance de sous-grains.
Il est à noter que le SIBM, en créant des grains recristallisés d'orientation similaire à celle
des grains déformés, peut contribuer à la rétention des textures de déformation comme il
sera discuté plus loin.
2.d) Recristallisation continue
Par opposition aux mécanismes précédemment cités, qui mettent en jeu la croissance des
quelques éléments -les plus favorisés- d'une structure, la recristallisation peut, dans
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