PRACA DOKTORSKA Zale ność własności strukturalnych ...

W rozdziale piątym przedstawiono wyniki eksperymentów i obliczeń dotyczące charakterystykistrukturalnej badanych związków, ich zachowania w niskich i wysokich temperaturach oraz wwysokim ciśnieniu. Omówione zostaną wynikające z tych eksperymentów właściwości elastyczne iwartości temperatury Debye’a.Otrzymane wyniki zostaną przedyskutowane na tle danych porównawczych w rozdziale szóstym ipodsumowane w rozdziale siódmym.Niektóre przedstawione w niniejszej pracy doktorskiej wyniki zostały opublikowanie w czasopismach iprzedstawione jako prace konferencyjne (dalsze prace znajdują się w przygotowaniu):W. Paszkowicz, M. Knapp, C. Bähtz, R. Minikayev, P. Piszora, J.Z. Jiang, R. Bacewicz, SynchrotronX-ray wavelength calibration using a diamond internal standard: application to low-temperaturethermal-expansion studies, Journal of Alloys and Compounds 382, 1-2 (2004) 107-111W. Paszkowicz, R. Minikayev, S. Podsiadło, Rietveld refinement study of gallium nitride, Proc. XIXConf. on Applied Crystallography (Kraków 1-4 Sept. 2003), wyd. H.Morawiec, D.Stróż (WorldScientific, Singapore 2004) 71-76W. Paszkowicz, S. Podsiadło, R. Minikayev, Rietveld-refinement study of aluminium and galliumnitrides, Journal of Alloys and Compounds 382, 1-2 (2004) 100-106W. Paszkowicz, R. Minikayev, P. Piszora, M. Knapp, C. Bähtz, J.M. Recio, M. Marqués, P. Mori-Sánchez, L. Gerward, J.Z. Jiang, Thermal expansion of spinel-type Si 3 N 4, Physical Review B 69 no.5,(2004) 52103-1-4W. Paszkowicz, R.Minikayev, P. Piszora, M. Knapp, C. Bahtz, J.Z. Jiang, A comparative Rietveldrefinement study of spinel-type Si 3 N 4 , Synchrotron Radiation Natural Sci. 3 (2004) 84-85W. Paszkowicz, R. Minikayev, S. Podsiadło, Structure refinement for AlN, GaN and InN by theRietveld method, European Materials Research Society 2003 FALL MEETING, Warsaw, Poland, 15-19.09.2003, (poster B-70 bez abstraktu)W. Paszkowicz, R. Minikayev, P. Piszora, J.Z. Jiang, R. Bacewicz, M. Knapp, C. Bähtz, Diamond asX-ray Wavelength Standard for Thermal-Expansion Studies Using Synchrotron Sources, EuropeanMaterials Research Society 2003 FALL MEETING, Warsaw, Poland, 15-19.09.2003, abstract book, p.98R. Minikayev, W. Paszkowicz, S. Podsiadło, S. Krukowski, J. Leszczynski, Rietveld refinement forpolycrystalline indium nitride, European Materials Research Society 2005 FALL MEETING, Warsaw,Poland, 05-09.09.2005, abstract book, p. 21, oraz The 6 th International Conference on NitrideSemiconductors, 28.08–2.09.2005, Bremen, Germany, abstract book, p. Mo-P-140W. Paszkowicz, P. Piszora, R. Minikayev, M. Knapp, C. Baehtz, S. Podsiadlo, Lattice parameters ofindium nitride in the 22-310 K temperature range, European Materials Research Society 2002 FALLMEETING, Warsaw, Poland, 05-09.09.2005, abstract book, p. 22R. Minikayev, W. Paszkowicz, P. Piszora, C. Baehtz, Ch. Lathe S. Podsiadlo, Compressibility andthermal expansion of polycrystalline indium nitride, 48 Konwersatorium Krystalograficzne, Wrocław,Polska 2006, abstract book, p. 37 (prezentacja ustna)R. Minikayev, W. Paszkowicz, P. Romanowski, C. Bahtz, T. Szyszko, S. Podsiadlo, Lattice parametersand thermal expansion of indium nitride in the 298-613 K temperature range, 10th European PowderDiffraction Conference (EPDIC). 01-04.09.2006, Geneva, Switzerland, abstract book, p. 184R. Minikayev, W. Paszkowicz, J. Pietosa, J. Nowak, Ch. Lathe, High-Pressure Diffraction Study ofIndium Nitride, 8th International School and Symposium on Synchrotron Radiation in Natural Sciences2006, Zakopane, Polska, abstract book, p. 78R. Minikayev, W. Paszkowicz, P. Piszora, M. Knapp, C. Bähtz, Thermal expansion of α and β siliconnitride. 7. Krajowe Sympozjum Użytkowników Promieniowania Synchrotronowego, 24-26.09.2007,Poznań, Polska, abstract book, p. 50W. Paszkowicz, R. Minikayev, J. Piętosa, C. Lathe, J. Nowak, High-pressure study of α and βpolymorphs of germanium nitride, 7 Krajowe Sympozjum Użytkowników PromieniowaniaSynchrotronowego 24-26.09.2007 Poznań, Polska, abstract book, p. 58III