PRACA DOKTORSKA Zale ność własności strukturalnych ...

Tabela V.3.2.2. Zestaw udokładnianych parametrów dla materiału C zmieszanego ze wzorcem diamentowym.Przypadek danych wysokotemperaturowych.ParametrySkładniki fazoweudokładniania Si 3 N 4 (α) Si 3 N 4 (β) C (diament)Parametr skali Tak Tak TakTłoM.B.BłędySyCossystematyczneDługość faliTakParametrysieciowea, c a, c wg. Tabeli A.2(Dodatek A)Współrzędne x(Si1, Si2, N1, N2); N.U.N.D.atomów y(Si1, Si2, N1, N2);z(Si1, N1, N2, N3,N4)Czynniki Wspólne (α i β) Wspólne (α i β) IzotropowetemperaturoweProfil refleksu(funkcja,parametry)pseudo-Voigt pseudo-Voigt pseudo-VoigtW, U, η 0 W, U, η 0 W, U, η 0Asymetria N.U. N.U. N.U.(a)(b)Rysunek V.3.2.2. Wynik udokładniania za pomocą metody Rietvelda dla mieszaniny materiału C zewzorcem diamentowym zbadanej w temperaturach 298 K (a) i 1073 K (b). Symbole: dyfraktogrameksperymentalny (●), teoretyczny (▬), krzywa różnicowa (▬), pozycje refleksówbraggowskich ( | ).Tabela V.3.2.3. Zestaw udokładnianych parametrów dla materiału D zmieszanego ze wzorcem diamentowym.Przypadek danych niskotemperaturowych.ParametrySkładniki fazoweudokładniania Si 3 N 4 (α) Si 3 N 4 (β) C (diament)Parametry sieci Tak Tak TakTłoM.B.BłędySyCossystematyczneDługość faliTakParametry sieci a, c a, c wg. Tabeli A.2(Dodatek A)Współrzędne N.U. x(Si, N1); N.U.atomówy(Si, N1)Czynniki N.U. Wspólne (α i β) IzotropowetemperaturoweProfili refleksów(funkcja,parametry)pseudoVoigtW, U, η 0pseudo VoigtW, U, η 0pseudo VoigtW, U, η 0 , xAsymetria N.U. N.U. N.U.65