Chipentwicklung fu127 ur Pixel - Prof. Dr. Norbert Wermes ...
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5.3. Bewertung der Messung & Verbesserungen 57<br />
Ladung [fC]<br />
170<br />
165<br />
160<br />
155<br />
150<br />
Simulation 11.5 fC/V<br />
Messung 14.3 fC/V<br />
3-Transistor-Ladungspumpe (Messung)<br />
V g1 = 700mV; V g2 = 2000mV<br />
Pumpfrequenz 2.5MHz<br />
1800 1900 2000 2100 2200 2300 2400<br />
V OUT [mV]<br />
Abbildung 5.9: Stabilität der gepumpten Ladung gegen Variation von Vout.<br />
Signalstroms auf dem CIX-Chip (Kapitel 3.2) ist dies jedoch nicht von gro er<br />
Bedeutung, da das Ausgangspotential Vout dort d<strong>ur</strong>ch die Rückkopplung eines<br />
Verstärkers konstant gehalten wird. Für den CIX-Chip w<strong>ur</strong>den als Reaktion<br />
auf diese Messergebnisse einige Verbesserungen umgesetzt. Beispielsweise<br />
w<strong>ur</strong>de d<strong>ur</strong>ch Änderungen der Transistoren und des Layouts Cpar auf ca. 9fF<br />
reduziert 4 .<br />
4 Abschatzung d<strong>ur</strong>ch Simulationen und Extraktion von Layout-Kapazitaten
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