Kurs- und Modulkatalog Nanotechnologie 2013/14 - LNQE - Leibniz ...
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01.10.<strong>2013</strong> Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Quantenstrukturbauelemente<br />
Art der Lehveranstaltung<br />
V3/Ü1<br />
(Quantum devices)<br />
Leistungspunkte:<br />
5<br />
Verantwortung<br />
Institut für Festkörperphysik<br />
Prüfungsleistung: mündliche Prüfung<br />
Präsenzstudienzeit: 42h<br />
Selbststudienzeit: 78h<br />
Regelmäßigkeit: Sommersemester<br />
Kompetenzziele:<br />
- Verständnis der quantenmechanischen Beschreibung von elektronischen Bauelementen<br />
- Überblick über quantenmechanische Effekte in Halbleiternanostrukturen <strong>und</strong> deren entsprechende<br />
Fachbegriffe<br />
- Kompetenz zur selbstständigen Einarbeitung in aktuelle Entwicklungen<br />
Inhalt:<br />
Quanteneffekte in Halbleiterstrukturen<br />
Physik zweidimensionaler Elektrongase<br />
Quantendrähte<br />
Quantenpunkte<br />
Kohärenz- <strong>und</strong> Wechselwirkungseffekte<br />
Einzelelektronentunneltransistor<br />
Quantencomputing<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
C. Weisbuch, B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures, Academic Pr Inc<br />
S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, Wiley<br />
M.J. Kelly, Low-Dimensional Semiconductors: Materials, Physics, Technology, Devices, Oxford<br />
University Press<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Einführung in die Festkörperphysik<br />
Fortgeschrittene Festkörperphysik<br />
Seite 119
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