Kurs- und Modulkatalog Nanotechnologie 2013/14 - LNQE - Leibniz ...
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01.10.<strong>2013</strong> Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Bipolarbauelemente<br />
Bipolar Devices<br />
Dozent: Wietler<br />
Webseite: http://www.mbe.uni-hannover.de/index.php?id=95<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Aufbauend auf der Vorlesung "Halbleiterelektronik" aus dem Bachelorstudium sollen<br />
vertiefte Kenntnisse der physikalischen Vorgänge in Halbleiterbauelementen <strong>und</strong> deren<br />
Funktionsmechanismen erworben werden. Auf Gr<strong>und</strong> dieses Wissens sollen die statischen<br />
<strong>und</strong> dynamischen Eigenschaften der Bipolarbauelemente erarbeitet werden. Im Ergebnis<br />
sollen die Studierenden die wichtigsten wissenschaftlichen Kenntnisse erwerben, die einen<br />
Einstieg in die Forschung <strong>und</strong> Entwicklung auf dem Gebiet der Bauelemente der<br />
Mikroelektronik <strong>und</strong> der Nanoelektronik ermöglichen.<br />
Inhalt:<br />
- Physikalische Gr<strong>und</strong>lagen der Halbleiterelektronik - Bändermodell<br />
- Ladungsträger im Halbleiter<br />
- Stromtransportmechanismen<br />
- Generation <strong>und</strong> Rekombination von Ladungsträgern<br />
- pn-Diode – Aufbau <strong>und</strong> Funktionsprinzip der pn-Diode<br />
- Statisches <strong>und</strong> dynamisches Verhalten der pn-Diode<br />
- Anwendungen <strong>und</strong> spezielle Diodentypen<br />
- Metall-Halbleiter-Übergänge – Ohmsche <strong>und</strong> Shottky-Kontakte<br />
- Bipolartransistoren – Aufbau <strong>und</strong> Funktionsprinzip<br />
- Modellierung des statischen <strong>und</strong> dynamischen Verhaltens von Bipolartransistoren<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>lagen der Halbleiterbauelemente<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript: Hofmann, Bipolarbauelemente (Physik, Dioden, Bipolartransistor); R.F. Pierret, Semiconductor<br />
Device F<strong>und</strong>amentals, Addison-Wesley, 1996; ; R.S. Muller and T.I. Kamins, Device Electronics for Integrated<br />
Circuits, John Wiley & Sons, 2003; S.M. Sze and K.K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience,<br />
2007<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 45h<br />
Selbststudienzeit: 75h<br />
Art der Prüfung: mündlich<br />
Studienleistung:<br />
V2/Ü1<br />
LP: 4<br />
WS<br />
Empfohlen ab dem: 1. Semester<br />
Seite 84
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