A MAGYAR TUDOMÃNYOS AKADÃMIA ... - MTA Sztaki
A MAGYAR TUDOMÃNYOS AKADÃMIA ... - MTA Sztaki
A MAGYAR TUDOMÃNYOS AKADÃMIA ... - MTA Sztaki
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Mikrotechnológiai Főosztály<br />
A főosztály feladata változatlanul a mikro- és nanorendszerek integrációja; szilícium és<br />
vegyületfélvezető alapú struktúrák, érzékelők, fényemittáló és -detektáló eszközök kutatása,<br />
preparációja és vizsgálata ionsugaras technikákkal és elektromos mérési módszerekkel.<br />
Mikrotechnológiai Osztály (24fő): Új Si tömbi mikromechanikai eljárások kutatása folyik,<br />
melyekkel Si kémiai és elektrokémiai marásával a felületre merőleges oldalfalú alakzatok és<br />
zárt membránok állíthatók elő, pozícionált proton mikronyalábbal történő lokális Si<br />
roncsolással és szelektív pórusos Si marással. Az eljárás működését mikrofluidikai<br />
rendszerekben használható visszacsapó szelepek és turbinák létrehozásával demonstrálták.<br />
Különböző molekulasúlyú enantiomérek szeparálására atmoszférikus nyomás feletti új<br />
ultraszűrési módszerhez alkalmas módon rögzített nanostruktúrált membránt fejlesztettek<br />
(pórusos szilícium: 35% porozitás, 5nm pórus átmérő).<br />
Elkezdték mozgó, illetve vezérelhető aktuátor MEMS eszközök kutatását. Végeselem (FEM)<br />
szimulációk alapján megtervezték és tesztstruktúrákon ellenőrizték a különböző mozgatási<br />
elveket (elektrosztatikus, mágneses, termikus) valamint a beavatkozók tulajdonságait<br />
(deformáció, mozgatási sebesség, maradó feszültségek).<br />
Folytatták a kizárólag gyémántból felépülő, szabadon álló mikrofűtőtestek technológiájának<br />
kutatását áramlásmérő szerkezetek céljára. Az ultrananokristályos gyémánt réteg leválasztása<br />
pontos struktúrakialakítást tesz lehetővé a SAD (Selectiv Area Deposition) technikával.<br />
Az erdők CH4 forgalmának mérésére fotoakusztikus elven működő ppm érzékenységű<br />
gázérzékelők fejlesztése folyik. A lézerimpulzus által keltett akusztikus hullám mérésére az<br />
MFA fejleszti az integrált mikrofont. A méretezés és a specifikációknak megfelelő<br />
geometriájú szerkezetek előállítása kétoldalas, tömbi szilícium mikromechanikai<br />
megmunkálással kritikus, precíz elektrokémiai marásmegállítást igényel. Kidolgozták a 4-<br />
6µm-es membrán laterális strukturálását reaktív ionmarással, a lúgos marószereknek ellenálló<br />
ProTEK polimer használatával. A membrán elmozdulását optikai kiolvasással detektálják.<br />
A légközlekedés repülőtéri forgalmának monitorozó rendszerét fejlesztik. A totál-reflexiós<br />
fluoreszcens röntgen vizsgálathoz a MEMS laborban készített referencia-chipen jól definiált<br />
anyagmennyiségű, mikroméretű Cr alakzatokat (egy-egy chip szimmetriatengelye mentén<br />
2250 elem, összes tömege 2,2905 ng) hoztak létre fotolitográfia, vákuumpárologtatás és „liftoff”<br />
eljárás alkalmazásával.<br />
Sikeresen folytatták az ITER neutronfluxusát kibíró plazmasugárzás-mérő bolométer<br />
fejlesztését, elsősorban a vékony SiN x membrán hátoldalán a 4-10µm vastag W abszorberkialakítás<br />
optimalizálásával, előoldalán ±1,5%-os szórású Pt ellenállás hőmérőkkel.<br />
Új, perspektívikus témájuk a nehézvízzel kezelt, deutérummal passzivált Si felületek<br />
stabilitásvizsgálata. A hagyományosan hidrogénnel passzivált Si felülethez viszonyítva a<br />
deutérium csak magasabb hőmérsékleten és lassabban deszorbeálódik. Ez egyrészt fékezi a<br />
natív-oxid kialakulását, másrészt segíti a határfelületi állapotsűrűség csökkentését.<br />
A meghajtó áramkörrel integrált 2x2-es tapintásérzékelő mátrixot fejlesztettek ki<br />
szabadalmaztatott CMOS-kompatibilis tömbi Si-mikrogépészeti technológiájukkal. Folyik a<br />
8x8-as érzékelő-tömb fejlesztése. A megrendelő spin-off cégük az orvosi alkalmazások<br />
fejlesztésében érdekelt, amihez megoldották a tapintásérzékelő tokozását.<br />
A piacra vitel alapvető feltételeként folytatták az MFA katalitikus mikropellisztor típusú<br />
gázérzékelők terheléses vizsgálatát. A tartós funkcionális tesztek alatt az érzékenység<br />
151