A MAGYAR TUDOMÁNYOS AKADÉMIA ... - MTA Sztaki

szénhidrogénekre csökken, majd az eszköz „megvakul”. Kiterjedt kísérletsorozatokkal,
analitikai és mikroszkópos tesztekkel megállapították, hogy a repedés-mentes mikrofűtőtest
akár 40mW-tal is megbízhatóan fűthető, de a lokális túlmelegedés termomechanikai törést
okoz. A gyártás automatizálása és a működés biztonsága érdekében új pórusos Al 2 O 3
rétegkészítési eljárással (Al reaktív porlasztásával) közvetlenül a fűtőtesteken alakítják ki a
hordozóréteget, amire automatikus adagolással cseppentik a Pt szemcsék létrehozásához a
hexaklór-platinasavat.
Megrendelésre 2007-ben is folyt a felületi hullámszűrők (SAW) gyártása.
Félvezető Karakterizáció Osztály (9 fő): Hagyományos kutatási területe az osztálynak az
implantált szerkezetek ionsugaras vizsgálata.
SiC-ban elsősorban ferromágneses félvezetők előállításához vizsgálták nagydózisú Ni + és
Cr 2 + implantáció hatását.
SiC-ban nagydózisú Ar + és P + implantáció magas hőmérsékletű aktiválásának mechanizmusát
kutatták Nd:YAG impulzuslézerrel (λ= 532 nm és λ=355 nm). Előoldali hőkezelésnél felületi
oxigén beépülés, és a kristályos/amorf (c/a) réteghatáron induló visszakristályosodás, míg a
hátoldali hőkezelésnél a c/a réteghatáron a kristályhibák diffúziója és feszültség-képződés
figyelhető meg. A lézerimpulzus energiasűrűségét növelve itt is elkezdődik a felületi
oxidáció.
Ge nanokristályokat tartalmazó új Si/SiO 2 /nc-Ge/Si 3 N 4 és Si/SiO2/nc-Ge/SiO 2 szerkezeteket
preparáltak (elektronsugaras Ge párologtatással 350°C-on, HNO 3 -ban vagy H 2 SO 4 +H 2 O 2 -ban
növesztett vékonyoxiddal és CVD nitriddel). Vizsgálták a Ge nanokristályok leválasztási
idejének hatását a Si/SiO 2 /nc-Ge/Si 3 N 4 szerkezetek memóriatulajdonságaira memóriaablak és
retenció mérésekkel. 100 msec, ±25 V impulzusokkal az 1 évre extrapolált memóriaablak
szélesség 0,3 V lett.
A Si nanokristályokat tartalmazó többrétegű Si/SiO 2 /Si 3 N 4 /nc-Si/Si 3 N 4 valamint
Si/SiO 2 /Si 3 N 4 /nc-Si/SiO 2 /Si 3 N 4 mintasorozatokon jó töltésinjekciós tulajdonságokat mértek.
10 ms, ±12 V impulzusokkal az 1 évre extrapolált memóriaablak 0,3 V.
Nemzetközi együttműködésben (University of Minho, Portugália) vizsgálták porlasztással
készített MIS szerkezetek optikai, elektromos és memóriatulajdonságait, melyek SiO x -ben
vagy Al 2 O 3 -ban CdSe nanokristályokat tartalmaztak. Egyes minták esetében jó töltésbeviteli
tulajdonságokat találtak.
Az NKFP CIGS napelem-projekt részeként Si/SiO x , valamint ZnO rétegek vizsgálata történt
galvanomágneses méréssel.
A SiO2/Si határfelületre CO atmoszférában nagy hőmérsékleten növesztett epitaxiás 3C SiC
nanokristályok alkalmasságát vizsgálták növekedési magokként epitaxiális SiC rétegnövesztésekhez.
Igazolták, hogy SiC nanokristályokkal nagy borítottságú Si hordozóra üregmentesen
lehet polikristályos köbös SiC réteget növeszteni CVD módszerrel. XRD, TEM, RBS/C ill.
SIMS/SNMS vizsgálatokkal folyik az epitaxiális 3C SiC rétegnövesztés paramétereinek
optimalizálása mikromechanikai felhasználásra.
Optoelektronikai Osztály (16 fő): Feladataik a napelemtechnológia-kutatások, a fényemittáló
vegyületfélvezető szerkezetek kutatásán kívül a szenzorok zajának vizsgálatára és
mikrohullámú mérésetechnikai alkalmazásokra is kiterjednek.
A 2007-ben zárult projekt keretében megépítették és beüzemelték a rendszer három modulját
(zsilip, lézervágó, párologtató), és tesztkísérleteket végeztek a párologtató forrásokkal.
152