View/Open - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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Spannung [MV]<br />
1,4<br />
1,3<br />
1,2<br />
1,1<br />
1<br />
0,9<br />
4-28<br />
0,1 0,12 0,14 0,16<br />
Teilchengeschwindigkeit ß = v/c<br />
d=50 mm<br />
d=60 mm<br />
d=80 mm<br />
Modifiziert,<br />
d=80 mm<br />
d=90 mm<br />
Abb. 4.3: Durchlaufende Spannung bei verschiedenen Teilchengeschwindigkeiten unter<br />
Variation des Innenleiters und bezogen auf einen konstanten Außendurchmesser von D<br />
= 180 mm sowie konstanter magnetischer Peakfeldstärke von Bmax = 80 mT.<br />
Die Abflachung wird durch Tiefziehen von Blechen erreicht, die anschließend<br />
zusammengeschweißt werden. Die elektrische Peak-Feldstärke erhöht sich um fast 20%<br />
verglichen mit der reinen koaxialen Struktur. Es wäre auch denkbar, eine Abflachung durch<br />
Formen von Rohren unter Beibehaltung des Umfanges zu erreichen. Der Resonator wird<br />
damit in Querrichtung größer, was die Verhältnisse der elektrischen Peak-Feldstärken leicht<br />
verbessert, allerdings nun keine runde Heliumhülle erlaubt (siehe unten).<br />
Die Abflachung zur Einstellung der erforderlichen Struktur-ß hat den Vorteil, dass zusätzlich<br />
Platz für einen mechanischen Tuner geschaffen wird, ohne die Ausdehnung in longitudinaler<br />
Richtung zu vergrößern.<br />
Vergrößert man nun D unter Beibehaltung des Verhältnisses D/d = 2,25 (Abb. 4.4) und der<br />
notwendigen Abflachung zur Einstellung des Struktur-ß, so ergibt sich zwar aufgrund der<br />
günstigeren Peakfeldstärken eine um etwa 5% höhere Beschleunigungsspannung, allerdings<br />
benötigt man nun rund 11% mehr Platz in longitudinaler Richtung. Dadurch verschlechtert<br />
sich nicht nur die effektive Beschleunigung bezogen auf die Länge. Zudem erhöhen sich die<br />
Kosten durch den gestiegenen Niobium-Bedarf und durch den größeren Kryostaten.<br />
Im vorliegenden Fall ist daher die Wahl eines Resonators mit einem Außendurchmesser von<br />
Dout = 180 mm und eines Innendurchmessers von din = 80 mm unter Berücksichtigung der<br />
Abflachung im Bereich der Strahlöffnungen zur Einstellung des Struktur ßstr vorzuziehen.