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Auf einen Blick
Schritt für Schritt
Silizium geht. Nicht gleich, denn vor allem aufgrund der Kosten hat es
durchaus (noch) seine Daseinsberechtigung. Aber auf lange Sicht
sind die physikalischen Grenzen von Si erreicht. Was kommt danach?
Zur Steigerung der Energieeffi zienz sind in der Leistungselektronik
Wide-Bandgap-Materialien, wie SiC und GaN, in der Diskussion und
werden mittel- bis langfristig eine wichtige Rolle spielen. Beide Materialien
bergen Chancen und Risiken, die sich heutzutage noch nicht
einhundertprozentig einschätzen lassen. Fakt ist aber: Wer nicht in
die neuen Technologien investiert, wird den Anschluss verpassen.
und Nachteile im Vergleich zu SiC liegen. Schließlich haben International
Recti� er und E� cient Power Conversion bereits Vorarbeit
geleistet und GaN-Bausteine im Niederspannungsbereich auf
den Markt gebracht. Welches Potenzial bieten beide Materialien?
Und: Was ist mit Silizium – gehört das schon zum alten Eisen? Diese
Fragen diskutierten nicht nur (Leistungs-) Halbleiterhersteller,
wie In� neon , ST Microelectronics , NXP , Semisouth , Vishay , Cree
oder United Monolithic Semiconductor (UMS), sondern auch Forschungsinstitute,
wie das Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik
(IAF) oder das VDI Technologiezentrum .
Was kommt nach Silizium?
Es herrschte also Redebedarf in der Hultschiner Straße. Die Frage,
was nach Silizium kommt, wurde durch das entscheidende Wort
„wann“ ergänzt: Was kommt wann nach Si? Denn trotz verbesser-
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