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Infokasten<br />
Teilnehmer<br />
Klaus Beilenhoff, Customer and R & D Interface Ulm,<br />
bei United Monolithic Semiconductors.<br />
Mustafa Dinc, Director Sales Business Development<br />
Automotive bei Vishay Europe in Heilbronn.<br />
Jochen Dreßen, Fachkoordinator Elektronik, VDI Technologiezentrum.<br />
Peter Friedrichs, Technology & Innovations Power Division Industrial<br />
& Multimarket bei Infi neon Technologies in Neubiberg bei München.<br />
Daniele Kröll, Regional Produkt Marketing Engineer Analog,<br />
Power & MEMS Industrial & Multimarket BU bei ST Microelectronics<br />
in München.<br />
Dieter Liesabeths, Director of Europe bei Semisouth in München.<br />
Erich Niklas, Business Manager Power EMEA bei Cree in Österreichs<br />
Hauptstadt Wien.<br />
Rüdiger Quay, PD am Fraunhofer IAF in Freiburg.<br />
Werner Riethmüller, BU R & D Manager bei NXP in Hamburg.<br />
infoDIREKT www.all-electronics.de 105ejl0211<br />
Energy, Teilnehmer am B<strong>MB</strong>F -Forschungsprojekt GaN Power<br />
Plus, etwa erho� sich durch den Einsatz GaN-basierter Leistungshalbleiter<br />
eine bessere Performance für seine Solarwechselrichter.<br />
Angestrebt werden fünf- bis zehnfach höhere Taktfrequenzen bei<br />
gleichen oder sogar niedrigeren Leitungsverlusten. Siliziumkarbid<br />
– für den Hochspannungsbereich (1200 Volt) prädestiniert – glänzt<br />
in punkto Schaltgeschwindigkeit und hohe Schaltfrequenzen. „Sie<br />
kommen mit Siliziumkarbid hoch bis in den Megahertzbereich“,<br />
unterstreicht Dieter Liesabeths von Semisouth. Entsprechende<br />
SiC-Produkte haben Cree (SiC-Mosfets), Semisouth (SiC-JFETs),<br />
In� neon (SiC-JFETs), ST und Vishay auf den Markt gebracht.<br />
Mit etwas Skepsis wird in der Runde das recht schnelle Vorstoßen<br />
von IR im GaN-Bereich betrachtet, insbesondere die qualitative<br />
Seite der Bausteine. Schließlich sollen die Leistungshalbleiter<br />
nicht nur im Consumerbereich zuverlässig arbeiten, sondern auch<br />
in kritischen Anwendungen. An dieser Stelle muss die Frage gestellt<br />
werden, inwiefern man die entsprechende Zuverlässigkeit<br />
Bild: Achim Leitner<br />
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www.elektronikjournal.com <strong>elektronikJOURNAL</strong> 02 / 2011 19
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