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Spezifikation für niedrige<br />
Betriebs- und Lagerungstemperatur<br />
(Tj = -50 °C)<br />
auf Anfrage erhältlich!<br />
For a reliable and safe future<br />
HV-IGBT-Module und HV-Dioden<br />
� Weitreichender Einsatzbereich, z.B. als Wechselrichterkomponente<br />
in Transportsystemen, in der Leistungsübertragung<br />
und in industriellen Mittelspannungsantrieben<br />
� HV-IGBT-Module und entsprechende HV-Dioden sind für<br />
Nennspannungen von 1,7 kV, 2,5 kV, 3,3 kV, 4,5 kV und<br />
6,5 kV sowie Nennströme von 200 A bis 2400 A erhältlich<br />
� Innovative neue 3,3 kV R-Serie mit geringer Verlustleistung<br />
� Hohe Robustheit und großer Arbeitsbereich (SOA)<br />
semis.info@meg.mee.com · www.mitsubishichips.com<br />
Besuchen Sie uns: PCIM 2011, Halle 12, Stand 421<br />
� 3,3 kV, 4,5 kV und 6,5 kV IGBT-Module sind jeweils auch<br />
mit 10,2 kV Isolationsspannung erhältlich<br />
� 1,7 kV IGBT-Module mit einer neuartigen LPT-CSTBT<br />
Wafertechnologie (Light Punch Through Carrier Stored<br />
Trench Gate Bipolar Transistor) zur Verringerung der<br />
Gesamtverlustleistung<br />
� Maximale Zuverlässigkeit und höchste Qualitätskontrolle<br />
durch 100%ige Prüfung vor dem Versand
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