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Am Rande des hauseigenen World<br />
Press Event in Rom kündigte Toshiba<br />
eine Erweiterung seiner Power-Mosfets<br />
an. Die PIMOS-VII-<br />
Serie (planar) ist in viel feineren<br />
V DSS -Abstufungen als bisher verfügbar:<br />
200, 250, 300, 450, 500,<br />
525, 550, 600 und 650 V. Außer-<br />
Die Opti-MOS-Mosfets für mittlere<br />
Spannungsklassen von Infineon<br />
Technologies gibt es ab sofort<br />
in Can-PAK-Gehäusen (mit Direct-<br />
FET-Technologie von IR). Einsatzbereiche:<br />
Gleichstrom-Umrichter,<br />
Solar-Mikrowechselrichter, MPP-<br />
Tracker in Solaranlagen, Niederspannungsantriebe<br />
oder synchro-<br />
Leistungsbauteile<br />
und Powermodule<br />
Leistungsmosfet in planarem und in Super-Junction-Aufbau<br />
Die passende Spannung<br />
dem sollen sich die Namen künftig<br />
systematisch und nachvollziehbar<br />
aus wichtigen Parametern<br />
zusammensetzen. Verfügbare Gehäuse:<br />
TO-220SIS, TO-3P(N) und<br />
DPAK. Für die TO-220SIS gibt es<br />
eine verbesserte „Warp Line“ mit<br />
Kupfer-Bonding, das einen niedrigeren<br />
Anschlusswiderstand und<br />
eine bessere Wärmeabfuhr verspricht.<br />
Auf der PCIM will Toshiba<br />
auch die Super-Junction-Serie<br />
DTMOS III zeigen mit V DSS = 600 V<br />
und 650 V sowie kleinerem R DS(on) .<br />
infoDIREKT 502ejl0211<br />
Mosfets<br />
Leistungsumrichter effizient designen<br />
Bild: Infineon<br />
SiC-Schottkydioden<br />
Das Sperrverzögerungsverhalten optimieren<br />
Bild: Toshiba<br />
diese Weise um zwei Drittel minimiert,<br />
was auch die Wärmeentwicklung<br />
entsprechend senkt. Die<br />
SiC-Produkte gewährleisten darüber<br />
hinaus bei Temperaturwechseln<br />
einen stabileren Betrieb als<br />
Silizium-FRDs, so dass kleinere<br />
Kühlkörper zum Einsatz kommen<br />
können. Applikationsbereiche:<br />
Rohm hat mit der Baureihe SCS- Leistungsfaktorkorrektur (PFC),<br />
110A Siliziumkarbid-Schottkydio- Wandler und Wechselrichter für<br />
den entwickelt, die über eine Hybrid- und Elektrofahrzeuge, Kli-<br />
Sperrverzögerungszeit (trr) von maanlagen oder Sonnen kollek-<br />
15 ns verfügen. Die aus dem<br />
Sperrverzögerungsverhalten retoren-Inverter.sultierenden<br />
Verluste werden auf infoDIREKT 123ejl0211<br />
© unidor TRsystems GmbH<br />
75179 Pforzheim · Freiburger Str. 3 · Tel 07231/3152-0<br />
www.elektronikjournal.com <strong>elektronikJOURNAL</strong> 02/2011 35<br />
Web: www.unidor.de · E-Mail: info@unidor.de<br />
Bild: Rohm Semiconductor<br />
ne Gleichrichter für Server.<br />
Die platzsparenden<br />
60- bis 150-V-<br />
Bausteine ermögli-<br />
chen Designs, die<br />
sich durch eine hohe<br />
Leistungsdichte, Effizienz<br />
und ein gutes Wärmeverhalten<br />
auszeichnen. Das spart Kosten<br />
und verlängert die Betriebslaufzeiten.<br />
Durch die Gehäuse-Konstruktion<br />
lässt sich eine doppelseitige<br />
Kühlung realisieren – fast<br />
ohne störende Induktivitäten.<br />
infoDIREKT 121ejl0211<br />
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smartCONTROL hat die Presskraft aller Stempel<br />
dauernd unter Kontrolle und erkennt zuverlässig<br />
den Verschleiß und den Bruch aller Stempel.<br />
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smartCONTROL erkennt Verformungs- und Oberflächenfehler<br />
durch Grat, Materialrückstände,<br />
Butzen oder Doppelblech.<br />
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