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Bild: Effi cient Power Conversion
Welche wirtschaftlichen Ziele haben Sie sich dieses Jahr gesetzt?
Wir fertigen in einer Standard-CMOS-Foundry in Taiwan und haben
so relativ niedrige Kosten. Das heißt, dass wir bereits heute in
der Lage sind, pro� tabel gegen herkömmliche Leistungsmosfets in
großen Stückzahlen anzutreten. Wir erwarten dieses Jahr, dass einige
unserer Hauptkunden mit unseren Bausteinen in Produktion
gehen, die in ihren Industriebereichen für Highlights sorgen werden.
Unser wirtscha� liches Ziel ist es, diese Bausteine erfolgreich
zu etablieren – was hier auch immer für Mühen nötig sein werden
– und gleichzeitig einen akzeptablen Gewinn zu erzielen.
Ihre Einschätzung des europäischen und amerikanischen
Leistungselektronikmarkts.
Der europäische und amerikanische Leistungselektronikmarkt hat
sich während der letzten zehn Jahre stark verändert. Die Elektronikfertigung
hat sich hauptsächlich nach Asien verlagert, allerdings
bleiben die Designaktivitäten in Europa und den USA. Darum
haben wir Application-Engineers, die mit den Kunden in Eu-
ropa und den Staaten eng an eGaN-FET-basierten Designs mit
zusätzlicher Hilfe bei Logistik und Produktion in Taiwan und China
arbeiten. Darüber hinaus haben wir mit Digi-Key einen Distributor
an der Hand, der es sich auf die Fahne geschrieben hat, innerhalb
von 48 Stunden nach Bestellung zu liefern.
China holt im Bereich Leistungselektronik auf. Sind die Chinesen
bereits als ernsthafte Konkurrenz für Europa und Amerika zu sehen?
Der chinesische Leistungselektronikmarkt wird dieses Jahr seine
stärkste Wirtscha� srate erfahren, einmal durch den Konsum der
eigenen Bevölkerung, der unterstützt wird durch den nach China
verlagerten Fertigungstrend von Amerika und Europa. Ein anderer
Punkt ist die wachsende Designexpertise, die es chinesischen
Unternehmen erlaubt, eigene Produkte für den Export zu entwickeln.
EPC hat bereits ein Netzwerk aus Verkaufs-Support und
technischem Support in China und Taiwan aufgebaut, um die dor-
Infoabend
31.5.2011
18.30 Uhr
Lagerstrasse 45
8004 Zürich
GaN-Bausteine überzeugen im
Vergleich zu ihrem Si-Pendant
in drei Punkten: Sie sind leistungsfähiger,
leichter einsetzbar und
zuverlässiger. Einzig die Kosten sprechen
noch für Si-Bausteine:
Dr. Alex Lidow ist CEO und Mitgründer von EPC in
El Segundo, Kalifornien.
Leistungsbauteile Leistungsbauteile und Power-
und Powermodule module
tigen Anforderungen zu unterstützen. Im Vergleich zu unseren
früheren Erfahrungen im Leistungselektronikmarkt verfügen viele
chinesische und taiwanesische Ingenieure nicht nur über fachliche
Expertise, sondern auch über die Motivation, moderne Technologien,
wie eGaN, zu adoptieren.
2011 werden China und Taiwan zusammen nach den USA unsere
größte Einnahmequelle sein; 2012 könnten sie sogar die Staaten
überholen. Allerdings werden Europa und die Staaten weiterhin
führend sein, wenn es darum geht, die GaN-Technologie für Lösungen
zu pushen, die sich mit Silizium nicht realisieren lassen.
Die Themen Nachhaltigkeit und Energieeinsparung führen zur
Diskussion Galliumnitrid versus Siliziumkarbid. Warum setzt EPC
auf GaN anstelle von SiC?
Bedingt durch den hohen Bandabstand lassen sich sowohl Galliumnitrid
als auch Siliziumkarbid für Leistungstransistoren nutzen,
die Leistungsmosfets und IGBTs leistungsmäßig erheblich übertre�
en. GaN hat jedoch den Vorteil, dass man es auf einen großen
Standard-Silizium-Wafer wachsen lassen kann. Günstigere Herstellungskosten
im Vergleich zu anderen Verfahren, eine mögliche
Dotierbarkeit und die auf Si-Substraten existierende, weit fortgeschrittene
Mikroelektronik sprechen für GaN-on-Si. Zudem können
die Wafer in hohen Stückzahlen kostengünstig in Silizium-
Wafer-Fabs produziert werden, so dass sich GaN-on-Si-basierte
Leistungsbausteine nicht hinter Leistungsmosfets aus Silizium verstecken
brauchen. Kosten-Wettbewerbsfähigkeit ist zwar eine notwendige
Bedingung, aber nicht die alles ausschlaggebende für die
Entscheidung pro Wide-Bandgap-Technologien.
Ist Silizium bereits am Ende seines Weges angekommen?
30 Jahre Erfahrung im Umgang mit Silizium-basierten Leistungsmosfets
haben uns gelehrt, dass es vier Schlüsselvariablen gibt, die
Unternehmen beein� ussen, ob sie eine Technologie annehmen
oder nicht:
Erstens: Leistungsvermögen. Was können die neuen Bausteine
besser als die herkömmlichen? eGaN-FETs sind aufgrund der ausgezeichneten
Eigenscha� en von GaN schneller und haben weniger
Leitungsverluste als Silizium-basierte Leistungsmosfets und IGBTs.
Damit können Designer die Taktfrequenz und die Leistungsdichte
ihrer Produkte erheblich steigern.
Zweitens: Leichte Nutzbarkeit. Unsere eGaN-FETs funktionieren
wie Si-Leistungsmosfets mit zwei Ausnahmen: Zum einen haben
sie eine viel niedrigere Eingangskapazität und eine maximale
Gatespannung. Dadurch bringen sie von Hause aus ein besseres
Ohne Berufsmaturität an die Fachhochschule:
Das Juventus-Zulassungsstudium
Auch ohne Berufsmaturität ist die Aufnahme in einen der Studiengänge mit
dem Ziel «Bachelor of Science» möglich. Der Weg führt über ein 9-monatiges
Zulassungsstudium, dessen erfolgreicher Abschluss die Tür zur Hochschule
für Technik Zürich (HSZ-T) öffnet.
Ein Bildungsangebot der Juventus Gruppe
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