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Die stetig wachsende Nachfrage nach Elektronik, die sich<br />

in anspruchsvollen Umgebungen, beispielsweise unter<br />

der Motorhaube und in rauen industriellen Anwendungen<br />

einsetzen lässt, steigert den Bedarf an modernen<br />

Mate rialien und e� zienten Leistungskomponenten. Hochleistungsanwendungen<br />

bei hohen Temperaturen stellen hohe Anforderungen<br />

an Leistungselektroniksysteme. Das kann unter Umständen<br />

schwerwiegende Wärmeprobleme zur Folge haben, wenn<br />

Komponenten, wie Leistungs-Felde� ekttransitoren (Power-FETs),<br />

Kondensatoren, Widerstände oder integrierte Schaltungen diesen<br />

rauen Umgebungen lange ausgesetzt sind.<br />

In Automotive-Umgebungen sind Power-FETs routinemäßig<br />

extremen Temperaturschwankungen und hoher thermo-mechanischer<br />

Belastung ausgesetzt. Intermittierende Kurzschlüsse, kalte<br />

Betriebsumgebungen, hohe Lichtbögen oder Kurzschluss-Spitzen<br />

sowie induktive Lasten und mehrere Kurzschlüsse können im Laufe<br />

der Zeit zu Ermüdungserscheinungen des Bausteins führen. Obwohl<br />

die Leistungsbausteine zunehmend robuster designt werden,<br />

sind sie anfällig für Ausfälle. Diese können in der Regel sehr schnell<br />

eintreten, wenn die Nennwerte der Leistungsbausteine überschritten<br />

werden. Bei Überschreiten der maximalen Betriebsspannung<br />

eines Power-FET erfolgt ein Lawinendurchbruch. Wenn die Energie<br />

in der transienten Überspannung oberhalb der nominalen Lawinenenergie<br />

liegt, versagt der Baustein. Dies erzeugt ein destruktives<br />

thermisches Ereignis, das Rauch oder Flammen erzeugt oder<br />

dazu führen kann, dass sich der Baustein selbstständig entlötet.<br />

Problem: Schwachstellen in der Leistungskomponente<br />

Ein Vergleich der Power-FET-Ausfallraten im Verlauf der Zeit<br />

zeigt, dass Bausteine in rauen Umgebungen höhere PPM-Ausfallraten<br />

aufweisen. Nach fünf Jahren Einsatz kann der Unterschied<br />

größer als ein Faktor von zehn sein. Obwohl ein Power-FET anfängliche<br />

Tests bestehen kann, ist erwiesen, dass unter bestimmten<br />

Bedingungen zufällig verteilte Schwachstellen in der Leistungskomponente<br />

einen Ausfall während des Einsatzes verursachen<br />

können. Selbst in Situationen, in denen die Bausteine innerhalb<br />

der angegebenen Betriebsbedingungen arbeiten, ließen sich zufällig<br />

verteilte und unvorhersagbare resistive Kurzschlüsse bei unterschiedlichen<br />

Widerstandswerten beobachten. Der Ausfall im resistiven<br />

Modus ist besonders von Bedenken – für die Power-FETs<br />

und die Leiterplatten. Bereits 10 Watt können eine lokalisierte<br />

Heißstelle von mehr als 180 Grad Celsius erzeugen, was deutlich<br />

über der typischen Glasübergangstemperatur einer Leiterplatte<br />

von 135 Grad Celsius liegt. Das beschädigt die Epoxidstruktur der<br />

Leiterplatte und verursacht ein thermisches Ereignis.<br />

Bild 1: Ein Power-FET-Ausfall im resistiven Modus kann zu<br />

unsicheren Übertemperaturzuständen führen.<br />

Auf einen Blick<br />

Passive und E-Mechanik<br />

Wenn Power-FETs im Automotive ausfallen...<br />

...entstehen dennoch keine Schäden durch thermische Instabilität. In<br />

Automotive-Umgebungen herrschen nicht nur extrem raue Temperaturen<br />

vor, auch die thermo-mechanische Belastung ist nicht ohne. So führen<br />

unter anderem Kurzschlüsse, Lichtbögen oder induktive Lasten zu<br />

Ermüdungserscheinungen im Leistungsmosfet. Und trotz robusten Designs<br />

ist die Leistungskomponente vor Ausfällen nicht gefeit. Der RTP-<br />

Schutzbaustein von Tyco Electronics schafft hier Abhilfe. Er sorgt dafür,<br />

dass keine Schäden durch Voll- oder resistive Kurzschlüsse entstehen,<br />

was dem Gesamtsystem zu Gute kommt.<br />

infoDIREKT www.all-electronics.de 111ejl0211<br />

Bild 1 beschreibt ein Szenario, in dem ein ausgefallener Power-<br />

FET keinen harten kurzen Überstromzustand generiert, sondern<br />

einen resistiven Kurzschluss. Folge: Es werden unsichere Temperaturen<br />

durch I2R-Erwärmung erzeugt. In diesem Fall ist der resultierende<br />

Strom unter Umständen nicht hoch genug, um eine Standardsicherung<br />

durchzubrennen und thermische Instabilität auf<br />

der Leiterplatte zu stoppen.<br />

Lösungen entwickeln: Der RTP-Baustein<br />

Aufgrund der starken Nachfrage nach einem robusten und zuverlässigen<br />

SMD-Baustein, der thermische Schäden infolge eines Versagens<br />

der Leistungselektronik verhindern kann, hat TE Connectivity<br />

(ehemals Tyco Electronics) einen Re� owable-� ermal-Protection-Baustein<br />

(RTP) entwickelt und vor kurzem in den Markt eingeführt.<br />

Dieser sekundäre Wärmeschutzbaustein kann redundante<br />

Power-FETs, Relais und schwere Kühlkörper ersetzen, die normalerweise<br />

in Elektronikdesigns im Kfz- und Industriebereich zum<br />

Einsatz kommen.<br />

Wenn ein Leistungskomponentenversagen oder ein Leiterplattendefekt<br />

unsichere Übertemperaturzustände erzeugt, unterbricht<br />

der RTP-Baustein den Strom und verhindert thermische Instabilität,<br />

die kritische Schäden verursachen kann. Die Komponente ö� -<br />

net sich bei 200 Grad Celsius: Das liegt über den normalen Betriebstemperaturen,<br />

aber unter den Aufschmelztemperaturen von<br />

bleifreien Lötmitteln. Bild 2 verdeutlicht, dass der RTP-Baustein<br />

die FET-Temperatur verfolgt und den Schaltkreis ö� net, bevor eine<br />

langsame thermische Instabilität einen unerwünschten thermischen<br />

Zustand auf der Leiterplatte erzeugt, wenn der Baustein in<br />

Reihe auf der Stromleitung in der Nähe des FET integriert wird.<br />

Bild 2: Bei einer langsamen thermischen Instabilität verfolgt der RTP200-Baustein die<br />

Power-FET-Temperatur, bis der Baustein den Schaltkreis bei 200 Grad Celsius öffnet.<br />

www.elektronikjournal.com <strong>elektronikJOURNAL</strong> 02 / 2011 65<br />

Bilder: Tyco Electronics

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