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Die stetig wachsende Nachfrage nach Elektronik, die sich<br />
in anspruchsvollen Umgebungen, beispielsweise unter<br />
der Motorhaube und in rauen industriellen Anwendungen<br />
einsetzen lässt, steigert den Bedarf an modernen<br />
Mate rialien und e� zienten Leistungskomponenten. Hochleistungsanwendungen<br />
bei hohen Temperaturen stellen hohe Anforderungen<br />
an Leistungselektroniksysteme. Das kann unter Umständen<br />
schwerwiegende Wärmeprobleme zur Folge haben, wenn<br />
Komponenten, wie Leistungs-Felde� ekttransitoren (Power-FETs),<br />
Kondensatoren, Widerstände oder integrierte Schaltungen diesen<br />
rauen Umgebungen lange ausgesetzt sind.<br />
In Automotive-Umgebungen sind Power-FETs routinemäßig<br />
extremen Temperaturschwankungen und hoher thermo-mechanischer<br />
Belastung ausgesetzt. Intermittierende Kurzschlüsse, kalte<br />
Betriebsumgebungen, hohe Lichtbögen oder Kurzschluss-Spitzen<br />
sowie induktive Lasten und mehrere Kurzschlüsse können im Laufe<br />
der Zeit zu Ermüdungserscheinungen des Bausteins führen. Obwohl<br />
die Leistungsbausteine zunehmend robuster designt werden,<br />
sind sie anfällig für Ausfälle. Diese können in der Regel sehr schnell<br />
eintreten, wenn die Nennwerte der Leistungsbausteine überschritten<br />
werden. Bei Überschreiten der maximalen Betriebsspannung<br />
eines Power-FET erfolgt ein Lawinendurchbruch. Wenn die Energie<br />
in der transienten Überspannung oberhalb der nominalen Lawinenenergie<br />
liegt, versagt der Baustein. Dies erzeugt ein destruktives<br />
thermisches Ereignis, das Rauch oder Flammen erzeugt oder<br />
dazu führen kann, dass sich der Baustein selbstständig entlötet.<br />
Problem: Schwachstellen in der Leistungskomponente<br />
Ein Vergleich der Power-FET-Ausfallraten im Verlauf der Zeit<br />
zeigt, dass Bausteine in rauen Umgebungen höhere PPM-Ausfallraten<br />
aufweisen. Nach fünf Jahren Einsatz kann der Unterschied<br />
größer als ein Faktor von zehn sein. Obwohl ein Power-FET anfängliche<br />
Tests bestehen kann, ist erwiesen, dass unter bestimmten<br />
Bedingungen zufällig verteilte Schwachstellen in der Leistungskomponente<br />
einen Ausfall während des Einsatzes verursachen<br />
können. Selbst in Situationen, in denen die Bausteine innerhalb<br />
der angegebenen Betriebsbedingungen arbeiten, ließen sich zufällig<br />
verteilte und unvorhersagbare resistive Kurzschlüsse bei unterschiedlichen<br />
Widerstandswerten beobachten. Der Ausfall im resistiven<br />
Modus ist besonders von Bedenken – für die Power-FETs<br />
und die Leiterplatten. Bereits 10 Watt können eine lokalisierte<br />
Heißstelle von mehr als 180 Grad Celsius erzeugen, was deutlich<br />
über der typischen Glasübergangstemperatur einer Leiterplatte<br />
von 135 Grad Celsius liegt. Das beschädigt die Epoxidstruktur der<br />
Leiterplatte und verursacht ein thermisches Ereignis.<br />
Bild 1: Ein Power-FET-Ausfall im resistiven Modus kann zu<br />
unsicheren Übertemperaturzuständen führen.<br />
Auf einen Blick<br />
Passive und E-Mechanik<br />
Wenn Power-FETs im Automotive ausfallen...<br />
...entstehen dennoch keine Schäden durch thermische Instabilität. In<br />
Automotive-Umgebungen herrschen nicht nur extrem raue Temperaturen<br />
vor, auch die thermo-mechanische Belastung ist nicht ohne. So führen<br />
unter anderem Kurzschlüsse, Lichtbögen oder induktive Lasten zu<br />
Ermüdungserscheinungen im Leistungsmosfet. Und trotz robusten Designs<br />
ist die Leistungskomponente vor Ausfällen nicht gefeit. Der RTP-<br />
Schutzbaustein von Tyco Electronics schafft hier Abhilfe. Er sorgt dafür,<br />
dass keine Schäden durch Voll- oder resistive Kurzschlüsse entstehen,<br />
was dem Gesamtsystem zu Gute kommt.<br />
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Bild 1 beschreibt ein Szenario, in dem ein ausgefallener Power-<br />
FET keinen harten kurzen Überstromzustand generiert, sondern<br />
einen resistiven Kurzschluss. Folge: Es werden unsichere Temperaturen<br />
durch I2R-Erwärmung erzeugt. In diesem Fall ist der resultierende<br />
Strom unter Umständen nicht hoch genug, um eine Standardsicherung<br />
durchzubrennen und thermische Instabilität auf<br />
der Leiterplatte zu stoppen.<br />
Lösungen entwickeln: Der RTP-Baustein<br />
Aufgrund der starken Nachfrage nach einem robusten und zuverlässigen<br />
SMD-Baustein, der thermische Schäden infolge eines Versagens<br />
der Leistungselektronik verhindern kann, hat TE Connectivity<br />
(ehemals Tyco Electronics) einen Re� owable-� ermal-Protection-Baustein<br />
(RTP) entwickelt und vor kurzem in den Markt eingeführt.<br />
Dieser sekundäre Wärmeschutzbaustein kann redundante<br />
Power-FETs, Relais und schwere Kühlkörper ersetzen, die normalerweise<br />
in Elektronikdesigns im Kfz- und Industriebereich zum<br />
Einsatz kommen.<br />
Wenn ein Leistungskomponentenversagen oder ein Leiterplattendefekt<br />
unsichere Übertemperaturzustände erzeugt, unterbricht<br />
der RTP-Baustein den Strom und verhindert thermische Instabilität,<br />
die kritische Schäden verursachen kann. Die Komponente ö� -<br />
net sich bei 200 Grad Celsius: Das liegt über den normalen Betriebstemperaturen,<br />
aber unter den Aufschmelztemperaturen von<br />
bleifreien Lötmitteln. Bild 2 verdeutlicht, dass der RTP-Baustein<br />
die FET-Temperatur verfolgt und den Schaltkreis ö� net, bevor eine<br />
langsame thermische Instabilität einen unerwünschten thermischen<br />
Zustand auf der Leiterplatte erzeugt, wenn der Baustein in<br />
Reihe auf der Stromleitung in der Nähe des FET integriert wird.<br />
Bild 2: Bei einer langsamen thermischen Instabilität verfolgt der RTP200-Baustein die<br />
Power-FET-Temperatur, bis der Baustein den Schaltkreis bei 200 Grad Celsius öffnet.<br />
www.elektronikjournal.com <strong>elektronikJOURNAL</strong> 02 / 2011 65<br />
Bilder: Tyco Electronics