CONFINAMIENTO NANOSC´OPICO EN ESTRUCTURAS ... - It works!

5.5 Estados superficiales inducidos por el confinamiento dieléctrico 11940R max (nm)302010SiO 2TiO 2(T )TiO (T ) 2 Si00.5 0.8 1.1 1.4 1.7 21/t (eV)Figura 5.20: Radio máximo de poro R max que permite atrapar electrones en función delparámetro de trapping t de la matriz semiconductora. Se incluye como ejemplo los casosde matrices de Si, SiO 2 y TiO 2.Tabla 5.1: Parámetros empleados y valores de t calculados [Ec. 5.44] para Si, SiO 2 y TiO 2.Para representar los regímenes de baja (T↓) y alta (T↑) temperatura en el caso del TiO 2se han empleado dos constantes dieléctricas distintas.V (eV ) m ∗ ε t (eV −1 )Si 4.0 a 0.26 b 12 a 0.53SiO 2 0.9 a 0.5 c 4 b 1.22TiO 2 3.9 a 1.0 d 100 (T↓) 1.1330 (T↑) 0.82a Ref. [237], b Ref. [227], c Ref. [236], d Ref. [261].Un caso particularmente interesante es el del TiO 2 , debido, como ya sesabe (sección 5.4.6), a la fuerte influencia que ejerce la temperatura sobresu permitividad [258]. En la bibliografía podemos encontrar valores de constantesdieléctricas que oscilan entre 6 y más de 150 [258, 260]. Consideramosaquí los valores ε = 100 y ε = 30 como representativos de dos regímenesdistintos de temperatura (baja y alta, respectivamente). Los resultados obtenidos(Fig. 5.20) muestran que, a baja temperatura (ε = 100), la capacidadde trapping se mantiene hasta valores de R cercanos a 7 nm. Sin embargo,esta capacidad desaparece al aumentar la temperatura (véase el caso de ε= 30 en la Fig. 5.20). Es importante remarcar que esta dependencia con latemperatura del carácter dispersivo/atractivo de los poros en el TiO 2 puedeinducir cambios relevantes en el transporte electrónico frente a la tempera-