CONFINAMIENTO NANOSC´OPICO EN ESTRUCTURAS ... - It works!

3.3 Tiempo de tunneling en cadenas de puntos cuánticos 45τ G =a G, (3.26)∆E/¯hdonde a = π cuando la DOS es constante [Ec. (3.22)] y a ≈ 2 para unarelación de dispersión parabólica ideal.3.3. Tiempo de tunneling en cadenas de puntoscuánticosConsideramos en esta sección dos tipos de cadenas; (i) una cadena formadapor puntos cuánticos esféricos de InAs inmersos en una matriz de GaAs(QDs homogéneos), y (ii) una cadena de anti-puntos cuánticos esféricos deGaAs/InAs (es decir, nanocristales compuestos por un núcleo de GaAs queactúa a modo de barrera y una capa externa de InAs que actúa a modo depozo) inmersos en una matriz de GaAs (véase la Fig. 3.5). Mientras que enel primer sistema (QDs homogéneos) la densidad electrónica se encuentradistribuida en la región central de la heteroestructura, en el segundo sistema(anti-QDs) se distribuye en la capa externa. Por tanto, podemos esperarcomportamientos diferentes de la movilidad electrónica en estos dos tipos deestructuras.(a)dz(b)InAsbGaAsdzFigura 3.5: Cadenas de nanocristales consideradas en la presente sección: (a) QDs homogéneosde InAs inmersos en una matriz de GaAs. (b) Anti-QDs de GaAs/InAs inmersosen GaAs. El InAs actúa como pozo de potencial.El perfil del potencial que confina a los electrones en el interior de los nanocristaleses de tipo escalón, cuya altura viene dada por la discontinuidadenergética entre las bandas de conducción del InAs y el GaAs. Ésta es de