CONFINAMIENTO NANOSC´OPICO EN ESTRUCTURAS ... - It works!

28 Capítulo 2: Confinamientos espacial y másicoVGaAsIn 1−xGa xAs GaAszFigura 2.4: Perfil esquemático del potencial confinante para los electrones cuando el QDcrece sobre GaAs.Tabla 2.2: Variaciones de energía de los estados electrónicos fundamental y primer excitadopara diferentes modelos de QD cuando éstos se recubren con una capa de AlAs de 1 nmde espesor (sistema A).∆E g.s. (meV) ∆E 1 er exc. (meV)QD1 21 23QD3 4 11QD4 11 31inferir que el estado fundamental (l = 1, m z = 0) reparte su densidadelectrónica direccionalmente a lo largo del eje z (dirección de crecimiento),mientras que el primer excitado (l = 2, m z = 1) lo hace entre el eje z y labase del QD. En conclusión, mientras que el blueshift del estado fundamentalestá determinado fundamentalmente por la intensidad del confinamientovertical (cuanto más bajo es el QD, más grande es el blueshift), el correspondienteal primer estado excitado depende en similar medida tanto delconfinamiento vertical como del lateral. Este diferente comportamiento delestado fundamental y el excitado puede ser útil para modular a voluntad ladiferencia energética entre estos dos estados mediante el recubrimiento delQD con capas de AlAs [107].En la figura 2.5 se muestran los cambios de energía de los estados electrónicosfundamental y primer excitado en función de la distancia d entreextremo superior del QD y una fina capa de AlAs crecida en el material derecubrimiento (sistema B, Fig. 2.3). En este caso, la capa de AlAs solapa