CONFINAMIENTO NANOSC´OPICO EN ESTRUCTURAS ... - It works!

xvideterminar las características estructurales de determinados sistemas nanoscópicos.Por un lado, evidenciamos la idoneidad de las medidas de magnetizacióncomo técnica que permite determinar de forma inambigua si latopología anular de los anillos cuánticos semiconductores auto-ordenados semantiene o no al ser completamente recubiertos tras el proceso de síntesis[25]. Por otro lado, mostramos que la respuesta de anillos cuánticos lateralmenteacoplados frente a campos magnéticos axiales y transversales reflejatanto el régimen de acoplamiento entre los anillos como la orientación de la“molécula” formada [26].En el capítulo 5 analizamos la influencia del confinamiento dieléctricosobre la energía, distribución de carga y propiedades ópticas de diversos sistemasnanoscópicos cargados con uno y dos electrones [27, 28, 29, 30, 31, 32,33, 34, 35, 36]. Abordamos en primer lugar el estudio de la energía de enlacede una impureza dadora hidrogenoide ubicada aleatoriamente en el seno deun QD esférico. Nuestro método de resolución exacta (numérica) evidenciala necesidad de emplear una descripción del sistema que trate con el mismogrado de detalle los efectos de los confinamientos espacial y dieléctricopara describir de forma adecuada la dependencia de la energía de enlacecon la posición de la impureza. Con este mismo código analizamos tambiénla dependencia con la temperatura de la densidad de estados inducidosen el gap de energía en muestras nanoestructuradas de TiO 2 . Exploramosa continuación la posible formación de estados superficiales inducidos porel confinamiento dieléctrico en materiales semiconductores nanoporosos, loque podría ser de importancia caudal en la interpretación del transporte enestos sistemas. Ofrecemos además un método simple para dilucidar, en funciónde los parámetros macroscópicos del semiconductor, el radio máximoque pueden alcanzar sus poros sin perder su capacidad de atrapar densidadelectrónica. Estudiamos a continuación el efecto del entorno dieléctrico sobrela repulsión interelectrónica en los estados superficiales de QDs poblados condos electrones en su banda de conducción, donde mostramos que el adecuadodiseño del entorno del QD puede emplearse para modular la dinámica delsistema. Estudiamos también el efecto de una impureza dadora hidrogenoidey la presencia de un hueco sobre la formación de estados superficiales enQDs sometidos a una fuerte discontinuidad dieléctrica. Finalizamos el capítuloanalizando la influencia del confinamiento dieléctrico sobre el espectrode absorción en el infrarrojo lejano de puntos cuánticos esféricos pobladoscon dos electrones, donde mostramos que este tipo de espectroscopia puederesultar adecuado para monitorizar la posible formación de estados superficialesinducidos por el confinamiento dieléctrico.