CONFINAMIENTO NANOSC´OPICO EN ESTRUCTURAS ... - It works!

130 Capítulo 5: Confinamiento dieléctrico1.2ε out = 1Z( θ )0.6ε out = 4ε out = 8000π/2θ(rad)πFigura 5.26: Densidad de correlación angular Z(θ) correspondiente a los mismos casosque en la figura 5.25.metros), pues el fuerte confinamiento al que se ven sometidos los electronesocasiona que las propiedades del sistema estén dominadas por efectos departícula independiente [295, 300]. No obstante, nuestros resultados predicenque, si el entorno del QD es el adecuado, este tipo de localización puedellegar a producirse incluso en condiciones de alta densidad electrónica y pequeñostamaños de QD.En resumen:Cuando se impone al confinamiento espacial, el confinamiento dieléctricono sólo afecta a la distribución de la densidad electrónica, sinoque además controla la dinámica del sistema.Mediante el adecuado diseño de las propiedades del entorno del QD,es posible conducir al sistema desde situaciones en que los electronesde conducción se comportan casi como partículas independientes hastasituaciones donde la fuerte correlación angular provoca localizacionesde tipo Wigner.Nuestro modelo predice, por tanto, que este tipo de localización puedellegar a producirse incluso en condiciones de alta densidad electrónicay pequeños tamaños de QD.Polarización superficial y correlación electrónicaLa fuerte correlación angular que conduce a la localización Wigner se debea que la densidad electrónica en el correspondiente estado superficial se