CONFINAMIENTO NANOSC´OPICO EN ESTRUCTURAS ... - It works!

2.1 Puntos cuánticos de InAs en matrices de GaAs. . . 27Tabla 2.1: Parámetros de los materiales empleados y geometrías de los QD estudiados.Todos los datos de materiales se han tomado de la Ref. [105], excepto * (Ref. [106]) y **(Ref. [65]).InAs GaAs AlAsE g (eV) 0.785* 1.519 3.1∆ SO (eV) 0.39 0.34 0.28m ∗ (E n,mz = 0) 0.051 0.067 0.15V 0 (eV) 0.0 0.513 1.08**altura (nm) radio (nm) h WL (nm)QD1 2 10 0.5QD2 1.65 8.25 0.3QD3 6 6 0.5QD4 4 4 0.3que los efectos de difusión no son aún significativos), se observaba que lamuestra recubierta por la capa de AlAs mostraba un corrimiento al azul(blueshift) de 27 meV con respecto a la muestra en la que no se había incorporadoAlAs. El blueshift se atribuyó por tanto al mayor confinamiento queprovoca la barrera de AlAs. En principio, este aumento del confinamiento repercutetanto en los niveles energéticos de electrones como en los de huecos.Sin embargo, el efecto es mucho mayor sobre los electrones de conducción[102]. Este hecho concuerda con nuestros cálculos exploratorios de la energíade los niveles de huecos: empleando un modelo simple de una banda paralos primeros estados de huecos, observamos que su energía es poco sensiblea la barrera de AlAs. Por tanto, en adelante estimaremos el blueshit de losespectros de fotoluminiscencia únicamente en base a cambios energéticos delos niveles electrónicos de la banda de conducción.La tabla 2.2 presenta los cambios de energía de los estados electrónicosfundamental (n = 1, m z = 0) y primer excitado (n = 1, | m z |= 1) producidospor la adición de una capa de AlAs que recubre los QDs (sistema A,Fig. 2.3). Se observa un buen acuerdo de la estimación del blueshift en QD1con el resultado experimental de la Ref. [100], lo que muestra que la alturaasumida debe ser similar a la de los QDs en la muestra experimental.Puesto que los estados de una lente pueden identificarse cualitativamentecon los estados de simetría (l + m z ) impar de una esfera, resulta sencillo