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Untersuchung mikromagnetischer Strukturen in dünnen Schichten

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3 EXPERIMENTELLER AUFBAU UND PROBENPRÄPARATION 32<br />

Detektoren höherer Effizienz als die des LEED-Detektors vorgesehen ist. Aus diesem<br />

Grund müssen im S800 Blenden aus dem Strahlgang genommen werden, um den<br />

Primärstrom für e<strong>in</strong>e annehmbare Meßzeit groß genug zu halten. Dadurch wird die<br />

Auflösung auf 30 nm <strong>in</strong> L<strong>in</strong>ienabtastungen bzw. 50-100 nm <strong>in</strong> Bildern begrenzt. Beim<br />

SAN 670 xi ist auch <strong>in</strong> Bildern e<strong>in</strong>e Auflösung von bis zu 20 nm zu erwarten.<br />

E<strong>in</strong> weiterer Unterschied besteht im geometrischen Aufbau, der für das Hitachi S800 <strong>in</strong><br />

Abb. 10 skizziert wurde. Im SAN 670 xi wird die Probe für SEMPA-Messungen um 60o aus der Horizontalen gedreht. Die Achse des Flansches, an den später Elektronenoptik<br />

und Sp<strong>in</strong>analysekammer angebracht werden sollen, bef<strong>in</strong>det sich 20o oberhalb der<br />

Horizontalen. Als Konsequenz liegt die optische Achse des L<strong>in</strong>sensystems nur 10o außerhalb der Oberflächennormalen. Zum e<strong>in</strong>en eröffnet dies die Möglichkeit, mit e<strong>in</strong>em<br />

<strong>in</strong> Geradeaus-Geometrie angebrachten Detektorkristall (vgl. Abb. 10) beide Oberflächenkomponenten<br />

der Magnetisierung bestimmen zu können24 , und zum anderen<br />

ergeben sich deutliche Vorteile für die zu erwartenden Eigenschaften der Optik. Die<br />

nahezu symmetrische Abgriffgeometrie läßt wegen der cosθ-Verteilung der emittierten<br />

Sekundärelektronen25 auch e<strong>in</strong>e größere Akzeptanz der Optik erwarten. Dies wird durch<br />

den kle<strong>in</strong>eren Arbeitsabstand (und der damit größeren Apertur) verstärkt, der im SAN<br />

670 xi weniger als die 20 mm im S800 beträgt.<br />

Da der Probentransfer <strong>in</strong>s Mikroskop nur <strong>in</strong> horizontaler Stellung des Manipulators<br />

erfolgen kann, muß die Elektronenoptik aus ihrem Arbeitsabstand heraus zurückfahrbar<br />

se<strong>in</strong>. Die Dimensionen der Elektronenoptik werden vorrangig durch die geometrischen<br />

Abmessungen des Flansches bestimmt, an den Optik und Sp<strong>in</strong>detektor abgebracht<br />

werden sollen. Se<strong>in</strong> Durchmesser ist im Vergleich zum S800 wesentlich kle<strong>in</strong>er (SAN<br />

670 xi: DN 63 CF, S800: DN 100 CF) und se<strong>in</strong>e Länge beträgt 270mm, während im<br />

S800 die gesamte Optik nur e<strong>in</strong>e Länge von ca. 180mm hat. Weitere geometrische<br />

Begrenzungen ergeben sich durch die Abmessungen des Augerenergieanalysators, der<br />

von oben bis kurz vor die Probe <strong>in</strong> die Mikroskopkammer ragt.<br />

3.2.2 Der elektrische Entwurf<br />

Der elektrische Konzept der Elektronenoptik erfolgte mit Hilfe des Programms SIMION<br />

(Version 4.01), das ausführlich <strong>in</strong> [119] beschrieben ist. Es ermöglicht die theoretische<br />

24Streng genommen erhält man <strong>in</strong> dieser Geometrie e<strong>in</strong>e re<strong>in</strong>e Oberflächenkomponente und e<strong>in</strong>e die<br />

sich wegen der 10o-Verkippung aus der zweiten (98.5% des nom<strong>in</strong>ellen Wertes) und e<strong>in</strong>er eventuell<br />

vorhandenden senkrechten Komponente der Magnetisierung (17.3%) zusammensetzt.<br />

25Dies gilt strenggenommen nur für polykristall<strong>in</strong>e Materialien (siehe z.B. [112]). Bei e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>en<br />

Materialien ist e<strong>in</strong>e Fe<strong>in</strong>struktur überlagert [118].

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