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Untersuchung mikromagnetischer Strukturen in dünnen Schichten

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3 EXPERIMENTELLER AUFBAU UND PROBENPRÄPARATION 49<br />

berfläche zu f<strong>in</strong>den, muß deshalb der SEV im Mikroskop positiv vorgespannt werden34 .<br />

Die L<strong>in</strong>ienstrukturen am l<strong>in</strong>ken unteren Rand s<strong>in</strong>d kaum noch als solche zu erkennen,<br />

da ihre beiden Ränder schon fast verschmelzen. Ihr Profil ist pyramidenartig.<br />

Abbildung 20: Die Schärfe der Co/Cu(001)-Mikrostrukturen: Kontrastumschlag im SE-Bild e<strong>in</strong>es<br />

Co-Stufenkeils (l<strong>in</strong>ks), SE-Aufnahme unscharf aufgedampfter Mikrostrukturen mit 2 ML Dicke (mitte)<br />

und SE-Bild scharf aufgedampfter Mikrostrukturen mit 10 ML Dicke (rechts). Die waagerechten Balken<br />

enstehen durch Schwankungen der Intensität des Primärstrahls.<br />

Die Unschärfe der <strong>Strukturen</strong> nimmt mit zunehmendem Maskenabstand zu. In den ersten<br />

Experimenten war zu beobachten, daß der helle Rand der <strong>Strukturen</strong> e<strong>in</strong>ige Mikrometer<br />

breit war und somit auch größere Quadrate e<strong>in</strong> mehr kissenförmiges als rechteckiges<br />

Profil aufwiesen.<br />

Im rechten Teil von Abb. 20 ist zu sehen, daß bei richtiger Wahl des Abstandes Maske-<br />

Probe e<strong>in</strong>e def<strong>in</strong>ierte Abbildung der <strong>Strukturen</strong> auf die Substratoberfläche möglich ist.<br />

Im Gegensatz zur mittleren Aufnahme ist <strong>in</strong> diesem Mikrostrukturfeld ke<strong>in</strong> heller Rand<br />

zu erkennen. Aufnahmen höherer Vergrößerung zeigen jedoch, daß e<strong>in</strong>e Restunschärfe<br />

von ca. 400 nm nicht vermieden werden kann.<br />

34 E<strong>in</strong>ige hundert Volt am SEV führen zu e<strong>in</strong>er Verstärkung des Unterschiedes der Elektronenausbeu-<br />

ten von Kobalt und Kupfer.

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