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Untersuchung mikromagnetischer Strukturen in dünnen Schichten

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3 EXPERIMENTELLER AUFBAU UND PROBENPRÄPARATION 40<br />

3.2.4 Die Tests am JEOL<br />

Zur Überprüfung der <strong>in</strong> der Simulation ermittelten L<strong>in</strong>senpotentiale wurde die Optik<br />

<strong>in</strong> e<strong>in</strong> JAMP 30 Rasterelektronenmikroskop e<strong>in</strong>gebaut. Als Probe diente e<strong>in</strong> isoliertes<br />

Stück Kupfer, das <strong>in</strong> der gleichen Abgriffgeometrie wie im SAN 670 xi angebracht<br />

war. Zur Messung des Probenstromes konnte die Probe auf e<strong>in</strong> beliebiges Potential<br />

gelegt werden. Das letzte Element der Optik wurde durch e<strong>in</strong>en metallbeschichteten<br />

Sz<strong>in</strong>tillatorschirm mit Zweigitteroptik ersetzt. Wurde an den Schirm e<strong>in</strong>e positive<br />

Hochspannung (3 kV) angelegt, konnten die abbildenden Eigenschaften des Systems<br />

untersucht werden, lag er nur auf ger<strong>in</strong>gem positiven Potential (+9 V), war Messung<br />

des auftreffenden Elektronenstroms möglich. Für alle Tests wurde die Mikroskopsäule<br />

bei 10 kV und e<strong>in</strong>em Strom von 10 nA betrieben, was typisch für das SAN 670 xi ist.<br />

Der Primärstrahl wurde über e<strong>in</strong>e Fläche von 400·400 µm2 gerastert.<br />

Zu Beg<strong>in</strong>n der Messungen waren zum Teil sehr unsymmetrische E<strong>in</strong>stellungen der<br />

l<strong>in</strong>ken und rechten Elemente der Quadrupole nötig. Der Elektronenstrahl ließ sich nur<br />

schlecht fokussieren und e<strong>in</strong>e ger<strong>in</strong>ge Transmissionsrate29 von 10-15% wurde erzielt.<br />

Ursache war e<strong>in</strong> starker E<strong>in</strong>fluß der Streufelder der magnetischen Pumpen auf die<br />

optischen Eigenschaften. Aus diesem Grund wurde die Optik für die weiteren Tests mit<br />

e<strong>in</strong>er µ-Metallabschirmung versehen. Damit wurde die starke l<strong>in</strong>ks-rechts-Asymmetrie<br />

an den Quadrupolen elimm<strong>in</strong>iert und die bis dah<strong>in</strong> schlechten optischen Eigenschaften<br />

verbesserten sich. Durch Veränderung der Potentiale der L<strong>in</strong>sen L5 und L6 ließ sich der<br />

Durchmesser des Leuchtflecks auf dem Sz<strong>in</strong>tillator symmetrisch vergrößern, was e<strong>in</strong>e<br />

Verschiebung des Fokus vor bzw. h<strong>in</strong>ter die Sz<strong>in</strong>tillatorebene bedeutet.<br />

Bei der folgenden Optimierung von Transmission und optischen Eigenschaften ergeben<br />

sich Abweichungen von den durchgeführten Rechnungen. Durch die Erhöhung der<br />

Potentiale des ersten Quadrupols auf im Mittel 860 V ließ sich der Sz<strong>in</strong>tillatorstrom<br />

deutlich erhöhen, der Fokus verschlechterte sich jedoch. E<strong>in</strong>e SIMION-Simulation zeigte<br />

veränderte Elektronentrajektorien und deutete auf zu niedrige Potentiale an den L<strong>in</strong>sen<br />

L2-L4 h<strong>in</strong>. Diese wurden erhöht. Die daraus resultierende, veränderte Fokussierung<br />

wurde durch die Anhebung der Spannungen an den L<strong>in</strong>sen L5-L8 ausgeglichen. Der<br />

Durchmesser des Leuchtflecks und damit der Ort des Fokus kann alle<strong>in</strong> durch die<br />

Wahl der Potentiale der L<strong>in</strong>sen L5 und L6 festgelegt werden. E<strong>in</strong>e Erhöhung von<br />

VL6 vergrößert den Leuchtfleck mehr als e<strong>in</strong>e Erniedrigung von VL5. E<strong>in</strong>e SIMION-<br />

Simulation zeigt, daß sich der Fokus <strong>in</strong> beiden Fällen <strong>in</strong> Richtung des Ausgangs der<br />

Optik verschiebt.<br />

29Als Transmissionsrate sei hier der Quotient aus der Zahl der Elektronen die die Probe mit e<strong>in</strong>er<br />

Energie E

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