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VERS UNE MEMOIRE QUANTIQUE AVEC DES IONS PIEGES

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tel-00430795, version 1 - 9 Nov 2009<br />

102 CHAPITRE 4. ENSEMBLE DU DISPOSITIF EXPÉRIMENTAL<br />

Fig. 4.22 – Schéma des niveaux atomiques de l’ion Sr + . Les notations S, D et P dans<br />

les largeurs Γ correspondent aux différents niveaux respectivement le niveau fondamental,<br />

intermédiaire et supérieur. Le temps de vie du niveau P est de 46 ns, celui du niveau D de<br />

400 ms. Le rapport de branchement du niveau excité est environ 13.<br />

de longueur d’onde dans le vide) et l’énergie de seconde ionisation 11.04 eV. Le Strontium<br />

comme l’ensemble des alcalino-terreux s’oxyde au contact de l’air et de l’eau. La conservation<br />

et la manipulation des atomes doit donc se faire dans une atmosphère neutre, par exemple<br />

dans une atmosphère d’Argon.<br />

Schéma des niveaux atomiques de l’ion 88Sr + Les niveaux utilisés pour réaliser le<br />

refroidissement Doppler ont été représentés sur le schéma 4.22. Il s’agit des niveaux 5s S1/2 noté S, 5p2 P1/2 noté P, 4d2 D3/2 noté D. Les données spectroscopiques sont issues de la<br />

base de données du NIST (http ://physics.nist.gov/PhysRefData/Handbook/index.html) et<br />

de [150]. Les sous niveaux Zeeman n’ont pas été représentés, ils sont au nombre de deux<br />

pour les niveaux S et P , 4 pour le niveau D. Le laser de refroidissement adresse la transition<br />

S − P , le laser repompeur la transition D − P . L’intensité de saturation de la transition<br />

S-P est facilement accessible avec cette diode, elle correspond à une puissance lumineuse<br />

de 10 mW si on focalise le faisceau sur un waist supérieur au millimètre. Cela est encore<br />

plus vrai pour la transition D − P Le refroidissement Doppler permet en théorie d’atteindre<br />

la température de ¯hΓSP qui vaut ici environ 450 µK. Pour comparer cette valeur avec la<br />

2kB<br />

frontière du régime cristallin, on peut calculer un ordre de grandeur de la température de<br />

cristallisation. En reprenant les notations des pages 44 et suivantes, et en considérant une<br />

distance entre ions de 10 µm, et un facteur Γ de transition d’environ 200, on obtient une<br />

température de cristallisation de l’ordre de 10 mK . Il semble donc que la température limite<br />

Doppler permette largement d’atteindre le régime cristallin dans cette situation, pourvu que<br />

la puissance de refroidissement soit toujours supérieure au chauffage RF.

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