SERWIS ELEKTRONIKI

Opis budowy i dzia³ania zasilaczy OTV firmy Sanyo
obwodzie wy³¹czania sygna³ przekazywany jest przez transoptor,
w uk³adzie regulacji zaœ pracuje obwód z Q301 w „gor¹cej”
czêœci zasilacza podobnie jak uk³ad najstarszych opisywanych
tu OTV Sanyo (punkt 3 artyku³u).
Warto tak¿e zwróciæ uwagê na schemat OTV chassis
HA2A. To odbiornik 100 Hz, najm³odsze chassis wœród
schematów publikowanych (do tej pory) przez Serwis Elektroniki
(w SE nr 3/2007). W obwodzie zasilacza widzimy
cechy wskazuj¹ce na „regres”. Wróci³ liniowy zasilacz
standby, a przetwornica wy³¹czana jest w jeszcze bardziej
archaiczny sposób ani¿eli we wszystkich „przywo³anych”
do tej pory chassis. Zasilanie przetwornicy jest w³¹czanewy³¹czane
przekaŸnikiem. Newralgiczna czêœæ zasilacza,
strona gor¹ca jest w pe³ni zgodna z uk³adem opisanym w
punkcie 2. Brak jakichkolwiek modyfikacji. Rezystor dodatniego
sprzê¿enia zwrotnego (R620 równolegle R621) ma
zdecydowanie mniejsz¹ opornoœæ, jak nale¿y s¹dziæ, z uwagi
na wiêksz¹ moc czerpan¹ z wyjœcia tego zasilacza. Strona
wtórna, bardzo prosta. Skoro zastosowano odrêbny zasilacz
standby, brak jakichkolwiek kluczy w obwodach
wyjœciowych przetwornicy. Napiêcia maj¹ nieco inne wartoœci
ani¿eli typowe dla wczeœniejszych chassis Sanyo. Brak
napiêcia zasilaj¹cego wzmacniacze wizji. „Typowa wartoœæ”
24V nie zasila ramki lecz wzmacniacz fonii. Na potrzeby
zasilania ramki symetryczne napiêcie + i – 14V.
Obwody zabezpieczeñ zosta³y zredukowane do generacji
sygna³u Power Fail sprawdzaj¹cego (praktycznie tylko na
obecnoœæ) napiêcia +8 i +12V. W obwodzie ujemnego sprzê-
¿enia zwrotnego zastosowano element SE130. Zast¹pi³ on
komparator i wzmacniacz b³êdu wykonany wczeœniej na
elementach dyskretnych. Uk³adowo obwód siê jednak nie
zmieni³. Struktura SE130 powiela obwód opisany w punkcie
1. W wêŸle zasilania anody transoptora brak charakterystycznego
(dla wszystkich chassis) dzielnika. Jak powiedziano
w punkcie 1, dzielnik ów s³u¿y³ jedynie dla celu
z³agodzenia wymagañ napiêciowych tranzystora wzmacniacza
b³êdu. Skoro tranzystor wbudowany w strukturê SE130
wytrzymuje „bez obaw” napiêcie zasilania na poziomie
136V, zastosowano jedynie rezystor (R641) w charakterze
ograniczenia pr¹dowego obwodu diody LED transoptora.
Mimo to, aktualne s¹ uwagi powiedziane w punkcie 1 odnoœnie
skutków w razie uszkodzenia tego oporu. Jednak,
jego uszkodzenie jest tu mniej prawdopodobne (najbardziej
awaryjne s¹ rezystory du¿ej wartoœci na których panuje
znaczne napiêcie mimo, ¿e wydzielana moc jest niewielka).
Tu, z uwagi na brak dzielnika, napiêcie na R641 jest
ni¿sze. Podnios³o siê za to napiêcie w obwodzie diody transoptora
i na tranzystorze wzmacniacza b³êdu. Te zmiany nie
maj¹ jednak praktycznie ¿adnego znaczenia.
Mimo ró¿nic wyszczególnionych w dwu ostatnich punktach
artyku³u, analiza schematów upowa¿nia do „wrzucenia”
wszystkich do „jednego worka”. Do „tego worka” nie
mo¿na jedynie wrzuciæ rozwi¹zañ nielicznych chassis wymienionych
na wstêpie, choæ i tu mo¿na dostrzec cechy
„ulubione” przez konstruktorów Sanyo. Rozwi¹zania te
traktujemy jako wyj¹tki w bogatej gamie konstrukcji tej
firmy.
Ostatni punkt artyku³u prezentuje (wraz z analiz¹) oscylogramy
zdjête z uk³adu najbardziej typowego wœród omawianych.
10 SERWIS ELEKTRONIKI 7/2007
6. Analiza oscylogramów zdjêtych z poprawnie
pracuj¹cego uk³adu przetwornicy
A
B
A
B
f= 1 / 2 Lrozpr × C616
0V
~1V
22µs => 45kHz
Rys. 5a. Przebieg napiêcia na kolektorze i na bazie
tranzystora kluczuj¹cego (Q613)
f= 1 / 2 L5-8 × C616
~500V
~300V
I L5-8
Rys. 5b. Przebieg napiêcia na kolektorze Q613 (A) i na
uzwojeniu dodatniego sprzê¿enia zwrotnego (B)
A
B
0V
t 3 t0
~20V
A
~ 500V
~500V
16µs => 62kHz
~25V
Nachylenie~U we
~6V
t 1 t2 REGUL.
18µs =>55 kHz
+0.7V
~5V
Nachylenie
~U wy
(const).
Szczegó³ A : Regulacja polega na kontroli
nachylenia tego zbocza.
Rys. 5c. Przebieg napiêcia na kolektorze Q613 (A) i na
bazie Q612 (B)