SERWIS ELEKTRONIKI

S³ownik wybranych skrótów elektronicznych angielsko-polski
S³ownik wybranych skrótów elektronicznych
angielsko-polski – cz.16
Zebra³ i opracowa³ W³adys³aw Wójtowicz
RRTTL = resistor-resistor transistor-transistor logic – uk³ad
tranzystorowo-tranzystorowo-rezystorowo-rezystorowy
RS = reset – przywracanie stanu pocz¹tkowego
= resistor – rezystor, opornik
= resonator – rezonator
= rotary switch – prze³¹cznik obrotowy
RST = reset – przywracanie stanu pocz¹tkowego
= reset-set trigger – przerzutnik ustawialny
RT = real time – czas rzeczywisty
= recovery time – czas regeneracji
= reset trigger – przerzutnik ustawialny
= resistance thermometer – termometr oporowy
RTB = resistance temperature bridge – mostek oporowy do
pomiaru temperatury
RTD = resistance temperature detector – oporowy detektor
temperatury
RTI = referred to input – w odniesieniu do wejœcia
RTI/OC = realtime input/outputcontrol – sterowanie wejœcia/
wyjœcia w czasie rzeczywistym
RTL = resistor-transistor logic – uk³ad tranzystorowo-rezystorowy
RTI = referred to output – w odniesieniu do wyjœcia
RTTV = realtime television – telewizja w czasie rzeczywistym
RV = rated voltage – napiêcie znamionowe
= reduced voltage – napiêcie obni¿one
RW = read/write – zapis/odczyt
R-W = read-write head – g³owica zapisujaco-odczytuj¹ca
RWM = read-write memory – pamiêæ z zapisem i odczytem
= rectangular wave modulation – modulacja fali prostok¹tnej
RWW = read-while-write – odczyt w czasie zapisu
RX = receiver – odbiornik
RY = relay – przekaŸnik
S
S = second – sekunda
= siemens – siemens
= source – Ÿród³o
= storage – pamiêæ
= switch – prze³¹cznik, wy³¹cznik
SA = sense amplifier – wzmacniacz odczytu
SA-BO = sense amplifier - blocking oscillator – wzmacniacz
odczytu – oscylator blokuj¹cy
SADT = silicon surface alloy diffused base transistor – krzemowy
tranzystor stopowo-dyfuzyjny
SAM = serial access memory – pamiêæ o dostêpie szeregowym
SAMOS = stacked gate avalanche injection MOS – struktura
MOS o warstwowej bramce z wstrzykiwaniem lawinowym
SAMUX = serial addressable multiplexer – szeregowy multiplekser
adresowalny
48 SERWIS ELEKTRONIKI 11/2007
SAR = storage address – adres pamiêci
SAT = saturation – nasycenie
= surface alloy transistor – stopowy tranzystor z barier¹
powierzchniow¹
SAW = surface acoustic wave – akustyczna fala powierzchniowa
SB = sideband – wstêga boczna
= stabilized breakdown – przebicie stabilizuj¹ce, przebicie
Zenera
SBCT = Schottky-barrier collector transistor – tranzystor z
kolektorem o barierze Schottky´ego
SBD = Schottky-barrier diode – dioda (z barier¹) Schottky´ego
SBDT = Schottky-barrier diode transistor – tranzystor z diod¹
(o barierze) Schottky´ego
= surface barrier diffused transistor – dyfuzyjny tranzystor
z barier¹ powierzchniow¹
SBFET = Schottky-barrier (gate) FET – tranzystor polowy z
barier¹ Schottky´ego
SBO = sidebands only – tylko wstêgi boczne
SBS = silicon bilateral switch – krzemowy prze³¹cznik dwukierunkowy
SBT = super-beta transistor – tranzystor super-beta
= surface barrier transistor – tranzystor z barier¹ powierzchniow¹
SC = short circuit – zwarcie
= scanner – uk³ad wybieraj¹cy; antena wybieraj¹ca
= semiconductor – pó³przewodnik
= shunt capacitor – kondensator bocznikuj¹cy
= supressed carrier – st³umiona fala noœna
= switched capacitor – kondensator prze³¹czany
SCAN = scanning – skanowanie; analiza informacji lub obrazu;
odczytywanie zapisu
SCD = semiconductor device – przyrz¹d pó³przewodnikowy
= stored charge diode – dioda ³adunkowa
SCDSB = supressed carrier double sideband – dwie wstêgi
boczne ze st³umion¹ fal¹ noœn¹
SCFM = subcarrier frequency modulation – modulacja czêstotliwoœci
podnoœnej
SCFS = subcarrier frequency shift – przesuniêcie czêstotliwoœci
podnoœnej
SCIC = semiconductor integrated circuit – pó³przewodnikowy
uk³ad scalony
SCL = serial clock – szyna zegara taktuj¹cego transmisjê po
magistrali I 2 C
SCLD = space charge limited diode – dioda o ograniczonym
³adunku przestrzennym
SCM = small capacity memory – pamiêæ o ma³ej pojemnoœci
SCO = subcarrier oscillator – oscylator czêstotliwoœci podnoœnej
SCR = saturable core reactor – d³awik nasycony; transduktor
= silicon controlled rectifier – tyrystor; prostownik pó³przewodnikowy
sterowany
= short-circuit ratio – stosunek zwarcia
SCS = silicon controlled switch – tyrystor tetrodowy; prze³¹cz-