SERWIS ELEKTRONIKI

Opis dzia³ania zasilacza OTV Panasonic TX-21JT2 ch. Z-M3L
Opis dzia³ania zasilacza OTV Panasonic TX-21JT2
chassis Z-M3L
Karol Œwierc
Schemat tego OTV publikowaliœmy we wk³adce do
SE nr 03/2007. Odbiornik ten cechuje bardzo
„oszczêdna” konstrukcja. Szczególnie zaœ „oszczêdny”
jest zasilacz. Gama spotykanych konstrukcji przetwornic
w sprzêcie RTV jest b. szeroka. Podobnie, du¿a jest
„rozpiêtoœæ” komplikacji tych¿e konstrukcji. Czy te
proste s¹ gorsze? Chcia³oby siê powiedzieæ, genialne jest
proste. Tak¹ refleksjê wyzwala analiza pracy zasilacza
ww. odbiornika. Po stronie gor¹cej, jeden tranzystor plus
kluczuj¹cy „BUZ” oraz niewielka iloœæ elementów
dyskretnych. Po stronie wtórnej, tak¿e „sk¹po”.
1. Refleksja z analizy wielu zasilaczy stosowanych
w OTV
Autorowi artyku³u nieodparcie nasuwa siê skojarzenie z
konstrukcj¹ zasilacza wielu popularnych odbiorników OTV
wystêpuj¹cymi pod wieloma nazwami, najczêœciej zaœ Lexus,
Axion itp. oraz wiele modeli Royal-a. Ten „3-tranzystorowy”
zasilacz jest z pewnoœci¹ w swej prostocie genialny. Jego schemat
publikowany by³ w SE nr 1/96. Mimo oszczêdnoœci konstrukcji
pracuje on b. pewnie. Pracuje w bardzo szerokim zakresie
obci¹¿enia, gdy¿ tak¿e w trybie standby nie wystêpuje
¿adna ingerencja w zasilacz. Ot, po prostu, klucz po stronie
wtórnej od³¹cza zasilanie dla stopnia odchylania poziomego
lub wy³¹cza jedno z niskich napiêæ powoduj¹c wstrzymanie
pracy generatora linii OTV. Oba rozwi¹zania s¹ równie czêsto
spotykane. Oba te¿, przez przetwornicê s¹ widziane jako „drastyczna”
redukcja obci¹¿enia, z któr¹ zasilacz sobie radzi. Z
pewnoœci¹, wielu Czytelników nie zgodzi siê z wy¿ej wypowiedzian¹
opini¹ twierdz¹c, i¿ to najgorsza z konstrukcji spotykanych
zasilaczy bêd¹ca powodem wielu awarii odbiornika.
To te¿ jest prawd¹, co zdaniem autora nie stoi w sprzecznoœci
z wypowiedzian¹ na wstêpie opini¹.
Wspomniany zasilacz cechuje jedna istotna wada. W bazie
tranzystora kluczuj¹cego wystêpuje kondensator o wymaganej
doœæ sporej pojemnoœci. Zwykle jest to elektrolit 47µF/
25V. Przez kondensator ten p³ynie doœæ sporej wartoœci (RMS)
pr¹d, a powodem jest niewielkie wzmocnienie pr¹dowe h FE tranzystora
wysokonapiêciowego (zwykle BUT11 lub podobny).
To powoduje wysychanie, utratê pojemnoœci i wzrost ESR
kondensatora. Cech¹ zaœ konstrukcji zasilacza jest, i¿ fakt ten
skutkuje wzrostem napiêæ produkowanych po stronie wtórnej.
Taki jest zwykle scenariusz uszkodzeñ odbiorników wyposa¿onych
w ten zasilacz. Skutkiem zwykle jest uszkodzenie wysokonapiêciowego
tranzystora kluczuj¹cego, b¹dŸ na odchylaniu
b¹dŸ w samym zasilaczu. Osobiœcie, newralgiczny kondensator
elektrolityczny wymieniam niezale¿nie od tego z jakim
uszkodzeniem odbiornik trafia do warsztatu, zak³adaj¹c elektrolit
dobrej jakoœci „low ESR” i koniecznie na 105°C. Nale¿y tak-
¿e uznaæ za w pe³ni uzasadnione (czêsto spotykane na ³amach
SE) porady serwisowe zalecaj¹ce wymianê obu kondensatorów
elektrolitycznych jakie wystêpuj¹ po stronie gor¹cej feralnego
zasilacza. Ponadto, nale¿y zaleciæ informacjê dla klienta, aby
„u¿ywaæ wy³¹cznika”, isostatu sieciowego.
Jak w œwietle „teorii i praktyki” oceniæ konstrukcjê zasilacza
do którego odwo³uje siê wstêp niniejszego artyku³u. Zdaniem
autora „genialnoœæ” konstrukcji jest jedynie nieznacznie
„nadszarpniêta”. To cecha elementu stanowi wadê nie zaœ konstrukcja
obwodu elektronicznego. Mo¿na jednak widzieæ to
tak¿e inaczej. To projekt jest winny, który zak³ada zastosowanie
w danym (newralgicznym) miejscu elementu o takich, nie
innych cechach (tu, kondensatora elektronicznego). To nie
pierwszy przyk³ad, gdzie cechy wydawa³oby siê drugorzêdne
przekreœlaj¹ „genialnoœæ” konstrukcji. Wydaje siê, i¿ uzdrowienie
sytuacji i „ratowanie” konstrukcji mo¿e pójœæ trzema
drogami. Pierwsza, to próba zastosowania kondensatora „nie
elektrolitu”. Z uwagi na wymagan¹ pojemnoœæ, droga skazana
na niepowodzenie. Drugi sposób (ratowania sytuacji) to rozbudowa
uk³adu o obwód zabezpieczenia przed wzrostem napiêæ
wtórnych w sytuacji spadku pojemnoœci newralgicznego
kondensatora. Takie rozwi¹zania spotykamy, uk³ad rozbudowuje
siê jedynie o 4-ty tranzystor. Sukces jest po³owiczny. Nie
zwiêksza parametru MTBF (Mean Time Before Failure) a jedynie
ogranicza skutki uszkodzenia. Trzecia droga postêpowania,
to próba zast¹pienia klucza bipolarnego tranzystorem
polowym. W koñcu, to znaczny pr¹d bazy wymusza du¿¹ pojemnoœæ
kondensatora. Ten sam czynnik powoduje, i¿ pr¹d
p³yn¹cy przez ów kondensator jest znaczny. Wydaje siê, i¿ na
pró¿no wypatrywaæ konstrukcji przetwornicy zachowuj¹cej
zalety i eliminuj¹cej wady zasilacza, do którego odwo³uje siê
powy¿szy tekst jedynie na zasadzie „skojarzeñ”. Zasilacz OTV
Panasonic chassis Z-M3L jest odmienny w swej „ideologii”,
jednak podobny w „swej prostocie”, i jedynie ten fakt uzasadnia
skojarzenie z zasilaczem Lexusów, Axionow itp.
Dalsza czêœæ artyku³u, to ju¿ merytoryczny opis pracy zasilacza
Panasonic-a. Pomijamy jedynie opis fragmentów trywialnych,
prostownika wejœciowego oraz obwodu cewek rozmagnesowuj¹cych.
2. Praca obwodu kluczowania
Uk³ad kluczuje dziêki pracy pêtli dodatniego sprzê¿enia
zwrotnego. G³ównym jej elementem jest uzwojenie 2-3 transformatora.
O dodatnim wspó³czynniku sprzê¿enia decyduje kierunek
nawiniêcia tego uzwojenia wzglêdem uzwojenia g³ównego
5-8. W³¹czenie tranzystora Q511 skutkuje dodatnim napiêciem
na wyprowadzeniu 3 trafa co utrzymuje stan w³¹czonego
klucza. Jednak, stan ten nie jest stabilny. Ju¿ od momentu
w³¹czenia „budowane” s¹ warunki wy³¹czenia klucza. Napiêcie
dodatniego sprzê¿enia zwrotnego podawane jest na bramkê
MOSFET-a przez kondensator. Wysokoimpedancyjne wejœcie
tranzystora polowego pozwala na zastosowanie niewielkiej
pojemnoœci 47nF (1000 krotnie mniej ani¿eli w omawianym
we wstêpie zasilaczu z kluczem w postaci tranzystora bipolarnego).
Ju¿ samo istnienie pojemnoœci na tej œcie¿ce stwarza
warunki rych³ego wy³¹czenia (klucza). Mimo to, sta³a cza-
SERWIS ELEKTRONIKI 8/2007 29