SERWIS ELEKTRONIKI

Opis uk³adu pomiarowego testera
Schemat ideowy testera tranzystorów polowych pokazano
na rysunku 2. Napiêcie zasilaj¹ce (od 12V do 15V) jest podawane
do testera poprzez gniazdko BU1. Jak widaæ na tym schemacie
do punktu odniesienia BU4, do którego jest pod³¹czone
Ÿród³o (Source) sprawdzanego tranzystora konieczne jest doprowadzenie
dodatniego i ujemnego napiêcie (oczywiœcie nie
jednoczeœnie, ale w zale¿noœci od typu tranzystora). Jest to
osi¹gane w wyniku szeregowo pod³¹czenia do napiêcia pracy
rezystora R3 i diody Zenera D4. Zastosowanie diody Zenera
obni¿a napiêcie do 6.2V. Ró¿nica pomiêdzy tym napiêciem a
napiêciem zasilaj¹cym odk³ada siê na rezystorze R3. Tak wiêc
na anodzie diody D4 (punkt referencyjny BU4) otrzymuje siê
napiêcie ujemne o wartoœci 6.2V, a na górnym wyprowadzeniu
rezystora R3 napiêcia dodatnie o wartoœci od oko³o 6V do
9V (w zale¿noœci od wartoœci napiêcia zasilaj¹cego). W zale¿noœci
od ustawienia prze³¹cznika S1 (kana³ N / kana³ P) po
przejœciu przez obie diody D1 i D2 oraz rezystor R2 otrzymuje
siê na gniazdku BU2 (do którego jest pod³¹czany dren testowanego
tranzystora) dodatnie albo ujemne napiêcie. Poniewa¿
obie diody œwiec¹ce D1 i D2 s¹ po³¹czone antyrównolegle
(równolegle, ale z przeciwn¹ polaryzacj¹), tylko jedna dioda
œwiec¹c zawsze wskazuje kierunek przep³ywu pr¹du.
Prze³¹czenie wy³¹cznika S2, zale¿nie od wybranego ustawienia
prze³¹cznika S1, decyduje o tym, czy dodatnie, czy te¿
ujemne napiêcie p³ynie przez rezystor R2 do gniazdka BU3,
do którego jest pod³¹czana bramka testowanego tranzystora
polowego. Transil D3 zabezpiecza (chroni) bramkê tranzystora
przed ewentualnym przepiêciem.
Monta¿
Napiêcie zasilaj¹ce 12V ÷ 15V
BU1
C1
10µF
25V
D4
ZPD6V2
Monta¿ testera tranzystorów FET jest ³atwy do wykonania
nawet dla s³abo zaawansowanego elektronika. Do tego celu
zosta³a zaprojektowana jednostronna p³ytka drukowana o wymiarach
108mm × 53mm.
Do zestawu do³¹czony jest wykaz podzespo³ów i schemat
monta¿owy. Sk³adanie p³ytki rozpoczyna siê od zamontowania
elementów najni¿szych, a wiêc dwóch mostków, rezystorów
i diod. Oba mostki nale¿y wykonaæ ze srebrzanki. Po przylutowaniu
wyprowadzeñ koñcówki nale¿y obci¹æ szczypcami
bocznymi. Dla kondensatora elektrolitycznego C1, diody Ze-
R3
1k
Kana³
N
S1
Kana³
P
S2
ON
OFF
Tester tranzystorów polowych “FET 1000”
nera D4 i obu diod œwiec¹cych nale¿y zwróciæ uwagê na polaryzacjê
(biegun ujemny kondensatora, anoda diody LED s¹
wyró¿nione poprzez d³u¿sz¹ koñcówkê, a katoda diody Zenera
poprzez pasek na obudowie przy jej wyprowadzeniu).
Wysokoœæ zamontowanych diod œwiec¹cych musi wynosiæ
dok³adnie 16 mm (zmierzone pomiêdzy p³ytk¹ uk³adu i
górn¹ krawêdzi¹ diody LED).
Przy przeznaczeniu testera do pracy bez obudowy do punktów
przy³¹czeniowych wyprowadzeñ tranzystora przewody pomiarowe
mog¹ byæ przy³¹czone bezpoœrednio do p³ytki drukowanej
– otwory oznaczone BU2 (D), BU3 (G) i BU4 (S).
Przy takim rozwi¹zaniu idealnie nadaj¹ siê krótkie przewody z
przylutowanymi z jednej strony zaciskami tzw. krokodylkami.
Przy przeznaczeniu testera do pracy w obudowie do tych
punktów nale¿y przylutowaæ odcinki przewodów plecionych
(licê) o d³ugoœci oko³o 3 cm, a ich drugie koñce do gniazdek
telefonicznych (4mm), które nale¿y zamontowaæ w obudowie.
Obs³uga
Test
D1
Kana³ N
D2
Kana³ P
R1
1k
R2
1k
D3
BZW06-13B
Rys.2. Schemat ideowy testera tranzystorów polowych “FET 1000”
BU2
D – dren
BU3
G – bramka
BU4
S –Ÿród³o
Przed rozpoczêciem pracy do testera tranzystorów FET
nale¿y pod³¹czyæ zasilanie od 12V do 15V z zewnêtrznego
zasilacza sieciowego (maksymalny pobór pr¹du 20mA). Nastêpnie
w testerze nale¿y prze³¹cznikiem S1 ustawiæ odpowiedni
typ kana³u tranzystora – typ N albo P. Teraz mo¿na pod³¹czyæ
testowany tranzystor. Nale¿y w tym miejscu zwróciæ
uwagê na to, ¿e tranzystory MOS-FET s¹ bardzo wra¿liwe na
³adunki elektrostatyczne, w szczególnoœci wra¿liwe jest wyprowadzenie
bramki. Dlatego nale¿y unikaæ dotykania rêk¹ tego
wyprowadzenia, a najlepiej zastosowaæ któryœ ze œrodków
ochrony przeciw ³adunkom elektrostatycznym, na przyk³ad obr¹czkê
uziemiaj¹c¹.
W zale¿noœci od ustawienia prze³¹cznika ON/OFF (w³¹czony
/ wy³¹czony) powinna zacz¹æ œwieciæ odpowiednia dioda
LED N-Kanal lub P-Kanal (kana³ N albo kana³ P).
Na koniec jeszcze jedna uwaga: w niektórych typach tranzystorów
MOS-FET pomiêdzy Ÿród³em a drenem (w strukturze
wewnêtrznej tranzystora) znajduje siê dioda ochronna, która
powoduje, ¿e przy z³ym ustawieniu polaryzacji (typu kana³u)
zawsze jedna z tych dwóch diod zawsze siê zaœwieci.
Tester mo¿na zamówiæ w firmie APROVI – patrz kolorowe
strony reklamowe. }
SERWIS ELEKTRONIKI 12/2007 41